处理中...

首页  >  产品百科  >  IRLZ14PBF-BE3

IRLZ14PBF-BE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 43W(Tc) 2V@ 250µA 8.4nC@ 5 V 1个N沟道 60V 200mΩ@ 6A,5V 10A 400pF@25V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: 78-IRLZ14PBF-BE3
供应商: Mouser
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRLZ14PBF-BE3

IRLZ14PBF-BE3概述

    # Vishay Siliconix IRLZ14 Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    Vishay Siliconix 的 IRLZ14 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为各种工业和商业应用设计。它具有快速开关能力、高可靠性和低导通电阻,能够在高达 175°C 的温度下稳定运行。这款器件广泛应用于电机控制、直流-直流转换器、电源管理及开关模式电源等领域。
    主要功能
    - 逻辑电平门极驱动:适合微控制器直接驱动。
    - 高速开关:减少开关损耗,提高效率。
    - 良好的并联性:便于多个器件并行使用。
    - 简化的门极驱动要求:降低设计复杂度。
    应用领域
    - 开关电源
    - 驱动电机
    - 逆变器系统
    - 各类电源转换装置

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 2.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.20 | - | Ω |
    | 栅极电荷总量 | Qg | - | 8.4 | - | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 3.5 | - | nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    其他关键指标还包括:
    - 最大栅源电压:±10 V
    - 最大漏极电流:10 A @ TC = 25°C,7.2 A @ TC = 100°C
    - 最大耗散功率:43 W @ TC = 25°C

    产品特点和优势


    特点
    1. 逻辑电平驱动:可以轻松连接到现代微控制器,简化电路设计。
    2. 高热稳定性:支持高达 175°C 的工作温度,适用于恶劣环境。
    3. 快速开关性能:优秀的动态特性使它在高频应用中表现出色。
    4. 低成本解决方案:TO-220AB 封装提供良好的性价比。
    优势
    - 出色的性价比,适合大规模生产。
    - 极低的导通电阻(典型值 0.20Ω),显著降低了功耗。
    - 简化的设计流程,适合初学者和专业工程师。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    IRLZ14 MOSFET 常用于直流-直流转换器中的同步整流,以及作为低侧开关元件。例如,在一个 30W 的 DC/DC 转换器设计中,IRLZ14 可以替代传统的双极性晶体管,从而提升效率并减少发热。
    使用建议
    1. 优化 PCB 布局:确保短路径和低寄生电感以防止过压问题。
    2. 散热管理:在高温环境下应考虑添加外部散热片或改进通风。
    3. 匹配驱动电路:选择合适的驱动电阻来满足开关速度需求。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRLZ14 支持广泛的工业标准接口,能够与多种主控芯片和外围设备无缝集成。此外,其 TO-220AB 封装形式易于替换市场上主流的同类产品。
    支持服务
    Vishay 提供全面的技术支持,包括在线文档资源和专家咨询团队。对于开发过程中遇到的问题,可以通过技术支持邮箱 hvmos.techsupport@vishay.com 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 增加外部散热措施或调整驱动电阻。 |
    | 短时间内频繁开关造成损坏 | 减少开关频率,优化电路布局。 |
    | 静态电流偏高 | 检查门极驱动信号是否正常。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRLZ14 功率 MOSFET 是一款高度可靠的器件,具备出色的性能表现和广泛应用前景。它的低导通电阻、逻辑电平驱动能力和广泛的温度适应性使其成为众多电子项目的理想选择。
    推荐意见
    强烈推荐 IRLZ14 用于需要高效能、高稳定性的应用场景。无论是初学者还是专业人士,它都能提供优异的表现和支持。如果您正在寻找一款兼顾成本效益和性能的 MOSFET,IRLZ14 将是您的不二之选。
    如需进一步了解或获取完整技术资料,请访问 [Vishay 官方网站](http://www.vishay.com) 或联系技术支持团队。

IRLZ14PBF-BE3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 400pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 8.4nC@ 5 V
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 43W(Tc)
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 6A,5V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IRLZ14PBF-BE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRLZ14PBF-BE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRLZ14PBF-BE3 IRLZ14PBF-BE3数据手册

IRLZ14PBF-BE3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.311 ¥ 11.078
10+ $ 0.8326 ¥ 7.0355
100+ $ 0.6413 ¥ 5.419
500+ $ 0.6102 ¥ 5.1562
1000+ $ 0.5422 ¥ 4.5813
库存: 2472
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 11.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336