处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF840APBF

IRF840APBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 8 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 14M-IRF840APBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF840APBF

IRF840APBF概述

    IRF840A, SiHF840A MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF840A 和 SiHF840A 是 Vishay Siliconix 生产的高性能 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件专为各种电源应用设计,具有低门极电荷(Qg)、改善的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性等特点。
    这些 MOSFET 适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和其他高效率电力转换应用。常见的 SMPS 拓扑包括双管前向拓扑、半桥和全桥电路。

    2. 技术参数


    以下是 IRF840A 和 SiHF840A 的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS): 500V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10V 时为 0.85Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 38nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 9.0nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 18nC
    - 最大连续漏极电流 (ID): 在 TC = 25°C 时为 8.0A,TC = 100°C 时为 5.1A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 32A
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 8.0A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 13mJ
    - 最大功耗 (PD): 在 TC = 25°C 时为 125W
    - 反向恢复电压 (dV/dt): 5.0V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    IRF840A 和 SiHF840A 的主要特点是:
    - 低门极电荷: 简化驱动要求,提高效率。
    - 增强的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性: 提高器件的可靠性。
    - 全面指定的电容和雪崩电压及电流: 确保性能的一致性。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC: 适合环保要求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    根据手册中的典型应用案例,IRF840A 和 SiHF840A 主要应用于以下场景:
    - 开关模式电源 (SMPS): 用于直流到直流转换器,提供高效能。
    - 不间断电源 (UPS): 确保电力供应的稳定。
    - 高速功率切换: 在高频应用中表现优异。
    使用建议:
    - 选择合适的栅极电阻: 以减少开关时间并降低损耗。
    - 注意热管理: 使用散热器来保持 MOSFET 在安全的工作温度范围内。

    5. 兼容性和支持


    IRF840A 和 SiHF840A 支持标准的 TO-220AB 封装,并且具有良好的电气兼容性。供应商提供的支持和服务包括技术文档、样品和应用指南。

    6. 常见问题与解决方案


    用户可能会遇到以下问题及其解决方案:
    - 问题: 设备过热。
    - 解决方案: 使用散热器并确保良好的空气流通。
    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 减小栅极电阻以加速开关过程。
    - 问题: 功率损耗高。
    - 解决方案: 选择更低 RDS(on) 的 MOSFET 或优化电路布局。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRF840A 和 SiHF840A 是高性能 N-通道功率 MOSFET,非常适合开关模式电源和其他高效率电力转换应用。其显著的低 RDS(on)、低 Qg 和良好的雪崩耐受性使其在市场上具备强大的竞争力。我们强烈推荐使用这些 MOSFET 以获得最佳的性能和可靠性。

IRF840APBF参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 125W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 38nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 4.8A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.018nF@25V
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
10.41mm(Max)
4.7mm(Max)
9.01mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF840APBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF840APBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF840APBF IRF840APBF数据手册

IRF840APBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.1302
10+ ¥ 3.7536
30+ ¥ 2.9397
100+ ¥ 2.5996
300+ ¥ 2.5024
1000+ ¥ 2.4295
库存: 5
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 4.13
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831