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2N7002-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 200mW(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 1个N沟道 60V 7.5Ω@ 500mA,10V 115mA 50pF@25V TO-236 贴片安装
供应商型号: C511350
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) 2N7002-T1-GE3

2N7002-T1-GE3概述

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    本手册介绍的是 Vishay Siliconix 公司生产的几种 N-Channel 60-V MOSFET 产品,包括 2N7000、2N7002、VQ1000J、VQ1000P 和 BS170。这些器件主要用于电源管理和控制,适用于多种电子应用领域,如继电器驱动、固态继电器、电池供电系统等。

    技术参数


    以下是各型号 MOSFET 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 2N7000 | 2N7002 | VQ1000J | VQ1000P | BS170 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏极-源极电压 \(V{DS}\) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
    | 栅极-源极电压 \(V{GS}\)(非重复) | ±40 V | ±40 V | ±30 V | ±25 V | ±20 V |
    | 连续漏极电流 (TA=25°C) | 0.2 A | 0.115 A | 0.225 A | 0.225 A | 0.5 A |
    | 脉冲漏极电流 (TA=25°C) | 0.5 A | 0.8 A | 1 A | 1 A | 2 A |
    | 最大功率耗散 (TA=100°C) | 0.16 W | 0.08 W | 0.52 W | 0.52 W | 0.8 W |
    | 热阻 (Junction-to-Ambient) | 312.5°C/W | 625°C/W | 96°C/W | 96°C/W | 156°C/W |

    产品特点和优势


    这些 MOSFET 器件具备以下特点和优势:
    - 低导通电阻:典型值为 2.5Ω,确保高效的电力转换。
    - 低阈值电压:2.1V 的低门限电压,易于驱动且无需缓冲电路。
    - 低输入电容:22pF,支持快速开关速度(7ns)。
    - 低输入和输出泄漏:提高电路稳定性和可靠性。
    - 低压操作:支持直接逻辑级接口(TTL/CMOS)。
    - 高速电路应用:适合需要高速响应的应用。
    - 双极驱动能力:可驱动继电器、螺线管、灯泡、锤子、显示器、存储器、晶体管等。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 适用于多种场景,例如:
    - 继电器驱动:用于自动化控制系统中。
    - 电池供电系统:可用于各种便携式设备中。
    - 固态继电器:提供可靠的无触点开关解决方案。
    使用建议:
    在高频率应用中,建议选择具有更低输入电容的产品以提高整体效率。此外,在高温环境下,应注意散热设计,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 支持多种封装类型,如 TO-226AA、TO-92 和 TO-18。Vishay Siliconix 提供详尽的技术支持和维护服务,确保客户能够顺利集成并使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开启时间过长?
    - A: 检查电路中的栅极电阻是否合适,适当减小栅极电阻可以加快开启速度。

    2. Q: 功率耗散过高?
    - A: 增加散热措施,例如使用散热片或者风扇。

    3. Q: 输入电容过大影响速度?
    - A: 选择输入电容更小的产品,或优化电路布局减少寄生电容。

    总结和推荐


    总的来说,这些 MOSFET 器件具有高性能、低功耗的特点,适用于广泛的电力管理和控制应用。特别是针对高压、高速和高频应用场合,它们表现尤为出色。强烈推荐在需要高效、可靠电力转换的应用中使用这些器件。

2N7002-T1-GE3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
配置 -
Id-连续漏极电流 115mA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 500mA,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
最大功率耗散 200mW(Ta)
栅极电荷 -
3.04mm(Max)
1.4mm(Max)
1.12mm(Max)
通用封装 TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

2N7002-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

2N7002-T1-GE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY 2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3数据手册

2N7002-T1-GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 0.4622
100+ ¥ 0.3675
300+ ¥ 0.3201
3000+ ¥ 0.2846
6000+ ¥ 0.2562
9000+ ¥ 0.242
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起订量: 10 增量: 3000
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