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IRFU9020PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 14nC@ 10 V 1个P沟道 50V 280mΩ@ 5.7A,10V 9.9A 490pF@25V TO-251AA 通孔安装 6.73mm*2.39mm*6.22mm
供应商型号: AV-E-IRFU9020PBF
供应商: Avnet
标准整包数: 75
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFU9020PBF

IRFU9020PBF概述

    Vishay Siliconix P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    Vishay Siliconix 的 IRFR9020、IRFU9020、SiHFR9020 和 SiHFU9020 是高性能的 P-通道 MOSFET 功率晶体管。它们广泛应用于多种场合,如计算机及外围设备、电信设备、直流/直流转换器以及各种消费电子产品。这些 MOSFET 器件具有优良的表面贴装能力,可减少电路板上的寄生电感和电容,提升整体电路性能。

    2. 技术参数


    - 主要规格
    - VDS (Drain-Source Breakdown Voltage): 50V
    - RDS(on) (Drain-Source On-State Resistance): 在 VGS=-10V 下,最大值为 0.28Ω
    - Qg (Total Gate Charge): 最大值为 14nC
    - Configuration: 单个
    - 封装类型: DPAK (TO-252), IPAK (TO-251)
    - 电气特性
    - 连续漏极电流 (ID): 在 VGS=-10V, TC=25°C 时,最大值为 -9.9A;在 TC=100°C 时,最大值为 -6.3A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 最大值为 -40A
    - 重复雪崩电流 (IAR): 最大值为 -9.9A
    - 最大功率耗散 (PD): 在 TC=25°C 时,最大值为 42W
    - 热阻 (RthJA): 最大值为 110°C/W
    - 工作环境
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 焊锡温度: 峰值温度不超过 300°C,持续时间不超过 10 秒

    3. 产品特点和优势


    - 表面贴装: 支持 DPAK 和 IPAK 封装形式,提供直插式选项。
    - 重复雪崩耐量: 具备高可靠性,在重复雪崩测试中表现出色。
    - 简单驱动需求: 仅需简单的驱动电路即可操作。
    - 易于并联: 适合需要多个器件并联的复杂电路设计。
    - 低导通电阻: 在 VGS=-10V 条件下,导通电阻 RDS(on) 只有 0.28Ω。
    - 高温稳定性: 在高温环境下仍能保持稳定的电气参数。
    - 快速开关特性: 有助于提高系统效率和性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 计算机及外围设备: 用于电源管理。
    - 电信设备: 在交换机和路由器中充当功率控制开关。
    - 直流/直流转换器: 作为主控开关管使用。
    - 消费电子产品: 如电视机、微波炉等,用于开关电源电路。
    - 使用建议:
    - 在高密度板设计中,注意减小寄生电感和电容的影响。
    - 确保散热设计良好,特别是在大电流工作条件下。
    - 使用合适的驱动电路,以避免过高的电压应力。


    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与常见的 PCB 设计兼容,适用于标准的表面贴装工艺。
    - 支持: Vishay Siliconix 提供详尽的技术支持和维护文档,包括技术问题解答、应用指南和故障排查方法。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免在高脉冲电流下的损坏?
    - A: 选择合适的电路布局,增加外部散热片,确保使用散热膏提高热传导效率。
    - Q: 如何正确安装和焊接?
    - A: 确保焊接温度不超过规定值,并使用合适的焊接技术,防止器件受损。

    7. 总结和推荐


    总体而言,Vishay Siliconix 的 IRFR9020、IRFU9020、SiHFR9020 和 SiHFU9020 是优秀的 P-通道 MOSFET 功率晶体管。其优异的电气性能和可靠性使其成为高要求应用的理想选择。特别是对于需要快速开关、低导通电阻和高可靠性的场合,这些器件展现出明显的优势。因此,强烈推荐在需要高性能 P-通道 MOSFET 的场合使用。

    通过上述分析,可以明确这款 P-通道 MOSFET 功率晶体管不仅在电气性能方面表现出色,还具备良好的适用性和可靠性,非常适合作为高性能应用的核心组件。

IRFU9020PBF参数

参数
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 490pF@25V
栅极电荷 14nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 5.7A,10V
最大功率耗散 42W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 9.9A
Vds-漏源极击穿电压 50V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
长*宽*高 6.73mm*2.39mm*6.22mm
通用封装 TO-251AA
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFU9020PBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFU9020PBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFU9020PBF IRFU9020PBF数据手册

IRFU9020PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
75+ $ 0.7553 ¥ 6.5707
3150+ $ 0.4253 ¥ 3.7003
6000+ $ 0.4172 ¥ 3.6298
10425+ $ 0.4127 ¥ 3.5902
18300+ $ 0.4081 ¥ 3.5506
30000+ $ 0.4037 ¥ 3.5121
库存: 1747
起订量: 675 增量: 75
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