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IRFRC20TRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 2 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: F-IRFRC20TRLPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFRC20TRLPBF

IRFRC20TRLPBF概述

    Vishay Siliconix IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20 系列 MOSFET 产品介绍

    产品简介


    Vishay Siliconix 推出的 IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20 和 SiHFUC20 系列是第三代高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些产品为设计师提供了快速开关、坚固耐用的设计、低导通电阻和成本效益的完美结合。它们广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统、逆变器、DC-DC 转换器和许多其他需要高效能电力转换的应用场合。

    技术参数


    以下是这些产品的关键技术规格和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS):600 V
    - 门限电压 (VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 最大门源电压 (VGS):± 20 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):2.0 A (TC = 25 °C),1.3 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):8.0 A
    - 最大功率耗散 (PD):42 W (TC = 25 °C)
    - 零门限电压漏极电流 (IDSS):≤ 100 μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):4.4 Ω (VGS = 10 V)
    - 输入电容 (Ciss):350 pF (VGS = 0 V, VDS = -25 V)
    - 输出电容 (Coss):48 pF
    - 反向传输电容 (Crss):8.6 pF
    - 总门极电荷 (Qg):18 nC (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)
    - 上升时间 (tr):23 ns
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):74 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):2.0 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):4.2 mJ

    产品特点和优势


    这些 MOSFET 具有多项独特的功能和优势:
    - 快速开关:适合高频应用,提高系统效率。
    - 坚固耐用的设计:可承受高重复雪崩电流,确保长期稳定运行。
    - 低成本:优化设计降低了整体成本,具有良好的性价比。
    - 表面贴装(IRFRC20, SiHFRC20):适用于自动贴片工艺,简化生产流程。
    - 直插式引脚(IRFUC20, SiHFUC20):方便通过孔安装,适用于需要高可靠性的应用。
    - 高可靠性:符合严格的测试标准,如雪崩能力测试。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于多种电路中:
    - 电源管理:用于 DC-DC 转换器和线性稳压器,提高系统效率。
    - 电机控制:在各种电机驱动电路中提供高效的开关控制。
    - 照明系统:用于 LED 驱动器和调光控制器,提供稳定可靠的电流控制。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意散热,以防止因过热导致性能下降。
    - 使用大容量旁路电容来平滑输入电压波动,确保稳定的门极驱动信号。
    - 在电路布局中尽量减少寄生电感,以避免意外的噪声干扰。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 支持常见的焊接工艺,包括蒸汽相焊、红外焊接和波峰焊接。制造商还提供了详细的可靠性数据和技术支持,以帮助用户更好地利用这些产品。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及解决方案:
    - 问题:开关过程中出现异常噪声。
    - 解决方案:检查并优化电路布局,减少寄生电感的影响。
    - 问题:导通电阻异常增大。
    - 解决方案:检查温度是否超过规定范围,必要时采取散热措施。
    - 问题:器件损坏。
    - 解决方案:确认门极驱动电压是否符合要求,避免过电压损坏器件。

    总结和推荐


    综上所述,IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20 和 SiHFUC20 系列 MOSFET 是高性能、低成本的选择,适用于多种应用场景。其快速开关能力、高可靠性和易于集成的特点使其成为众多电力转换和控制系统的理想选择。我们强烈推荐这些产品给对性能和成本有严格要求的设计工程师和制造商。

IRFRC20TRLPBF参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 2.5W(Ta),42W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 350pF@25V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.4Ω@ 1.2A,10V
通道数量 -
栅极电荷 18nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.38mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFRC20TRLPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFRC20TRLPBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF数据手册

IRFRC20TRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.3079 ¥ 2.6078
6000+ $ 0.3051 ¥ 2.5845
9000+ $ 0.3024 ¥ 2.5612
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起订量: 3000 增量: 3000
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