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JANTX2N6661

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 725mW 20V 2V 90V 4Ω@ 10V 35pF@ 25V
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) JANTX2N6661

JANTX2N6661概述


    产品简介


    2N6661是一款N沟道90V(D-S)功率MOSFET,广泛应用于高可靠性系统、逻辑电平接口(如TTL/CMOS)、驱动器(如继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等)和电池供电系统。此外,它还适用于固态继电器的应用场景。这款MOSFET具备军事级认证,能够满足各种苛刻的应用需求。

    技术参数


    以下是2N6661的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):90V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = 5V时,ID = 0.3A下为3.8Ω至5.3Ω
    - 在VGS = 10V时,ID = 1A下为3.6Ω至4Ω
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):
    - 在25°C时为0.8V至1.6V
    - 在-55°C时为0.8V至1.8V
    - 在125°C时为0.3V至1.3V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):在VGS = ±20V时为±100nA(125°C时为±500nA)
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):在VGS = 0V时为-1μA(125°C时为-100μA)
    - 输入电容 (Ciss):在VGS = 0V时,VDS = 25V,f = 1MHz时为35pF至50pF
    - 输出电容 (Coss):15pF至40pF
    - 反向传输电容 (Crss):2pF至10pF
    - 开关时间 (tON/tOFF):6ns至10ns

    产品特点和优势


    2N6661具有以下几个显著的特点和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):3.6Ω(在VGS = 10V时),确保低功耗和高效能。
    - 低阈值电压 (VGS(th)):1.6V,便于驱动且易于操作。
    - 快速开关速度 (tON/tOFF):6ns至10ns,适合高速电路。
    - 低输入电容 (Ciss):35pF,减少驱动器负载,提高效率。
    - 高可靠性:军事级认证,保证长期稳定运行。
    - 低漏电流:保证在高电压下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高可靠性系统:由于其军事级认证,2N6661非常适合用于需要高度可靠性的系统中。
    - 逻辑电平接口:2N6661可直接与TTL/CMOS逻辑电平接口,简化设计。
    - 驱动器:可用于驱动继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器等设备。
    - 电池供电系统:低导通电阻和低功耗使其成为电池供电系统的理想选择。
    - 固态继电器:适用于需要高可靠性和长寿命的应用场合。
    使用建议
    - 散热管理:由于最大功率耗散为6.25W(在25°C时),确保良好的散热措施,以防止过热。
    - 驱动电路设计:考虑到其快速开关特性,建议使用合适的驱动电路来减少开关损耗。
    - 温度范围:注意其工作温度范围为-55°C至150°C,确保在极端环境下也能正常工作。

    兼容性和支持


    2N6661支持多种封装形式,包括商业级(TO-205AD)和军用级(JANTX)。这些封装形式具有不同的特性,适用于不同应用场景。厂商提供详细的技术支持和维护文档,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理过高的漏电流?
    - 解决方案:检查是否工作在额定电压范围内,并确保良好的散热措施。

    - 问题2:开关时间不一致怎么办?
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保稳定的栅极电压和适当的驱动电阻。

    - 问题3:导通电阻异常增大?
    - 解决方案:检查焊接质量和接触情况,确保良好的电气连接。

    总结和推荐


    2N6661是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、低阈值电压和快速开关速度等特点。其高可靠性、宽温度范围和军事级认证使其成为各种高可靠性应用的理想选择。对于需要高效、可靠和快速响应的电路设计,2N6661是一个非常值得推荐的产品。

JANTX2N6661参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 35pF@ 25V
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 725mW
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 90V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 10V

JANTX2N6661厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

JANTX2N6661数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY JANTX2N6661 JANTX2N6661数据手册

JANTX2N6661封装设计

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