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IRFB11N50APBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 11 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: LYS-IRFB11N50APBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFB11N50APBF

IRFB11N50APBF概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本文介绍的是由 Vishay Siliconix 生产的 IRFB11N50A 和 SiHFB11N50A 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件属于单个 N 沟道 MOSFET,采用 TO-220 封装,适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)及高速功率开关等领域。这些器件具有低栅极电荷、改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性等特性,非常适合于各种电力电子应用。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术参数:
    - 电压额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 500 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30 V
    - 电流额定值
    - 持续漏极电流 \( ID \):
    - 在 \( V{GS} \) 为 10 V 时:\( ID \) = 11 A
    - 在 100 °C 温度下:\( ID \) = 7.0 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 44 A
    - 电阻和电容
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} \) 为 10 V 时:\( R{DS(on)} \) = 0.52 Ω
    - 门源电荷 \( Q{GS} \): 13 nC
    - 门漏电荷 \( Q{GD} \): 18 nC
    - 总门电荷 \( Qg \): 52 nC
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 62 °C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻 \( R{thJC} \): 0.75 °C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:这使得驱动要求简单,减少系统的复杂性和成本。
    - 高耐久性:增强了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的耐久性,提高了器件的可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压/电流:确保了更准确的应用设计。
    - 无铅可选:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    这些器件常用于开关电源、不间断电源和高速功率开关等应用。例如,在开关电源中,它们可以有效控制输出电流和电压,提高系统效率。为了实现最佳性能,建议在设计电路时注意以下几点:
    - 使用低杂散电感的电路布局。
    - 确保接地平面的良好设计。
    - 控制驱动器类型,确保与被测器件(DUT)相同。

    兼容性和支持


    这些器件支持标准 TO-220 封装,易于集成到现有系统中。此外,Vishay Siliconix 提供详尽的技术支持和维护服务,包括在线文档、故障排除指南等资源。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能会遇到的问题及其解决方法:
    - 问题: 栅源电压 \( V{GS} \) 过高导致漏源电压 \( V{DS} \) 波动。
    - 解决方法: 检查并调整驱动器设置,确保 \( V{GS} \) 保持在推荐范围内。
    - 问题: 漏极电流 \( ID \) 超过最大值。
    - 解决方法: 通过降低输入电压或增加限流电阻来限制电流。

    总结和推荐


    IRFB11N50A 和 SiHFB11N50A 是高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低栅极电荷、高耐久性和完整的表征参数,适用于多种电力电子应用。强烈推荐给需要高效、可靠功率转换的工程师和设计师。

IRFB11N50APBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.423nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 170W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 520mΩ@ 6.6A,10V
配置 -
栅极电荷 52nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 11A
10.51mm(Max)
4.65mm(Max)
9.01mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFB11N50APBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFB11N50APBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF数据手册

IRFB11N50APBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.759 ¥ 6.4136
3000+ $ 0.7392 ¥ 6.2462
5000+ $ 0.726 ¥ 6.1347
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