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IRFL110TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.5 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-IRFL110TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFL110TRPBF

IRFL110TRPBF概述

    IRFL110 和 SiHFL110 电子元器件产品技术手册

    产品简介


    IRFL110 和 SiHFL110 是 Vishay Siliconix 公司生产的第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 这类器件具有多种显著特点,如快速开关、易于并联和简单的驱动要求。其主要用于表面安装,通过红外、波峰焊接或气相焊接技术进行装配,特别适合需要高热导率的应用场景。这些器件适用于广泛的电子产品和系统,如电源管理、马达控制和各种电力转换设备。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):100 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):1.5 A(TC=25 °C),0.96 A(TC=100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):12 A
    - 最大功率耗散 (PD):3.1 W(TC=25 °C)
    - 重复性雪崩能量 (EAR):0.31 mJ
    - 最大热阻 (RthJA):60 °C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 输出电容 (Coss):81 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):8.3 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):2.3 nC
    - 栅极电荷 (Qgd):3.8 nC

    产品特点和优势


    IRFL110 和 SiHFL110 在以下几个方面表现出色:
    - 动态 dv/dt 额定值:允许器件在高开关速度下运行,适用于需要快速响应的应用。
    - 重复性雪崩额定值:能够承受瞬时高电流冲击而不损坏,增加了器件的可靠性和耐用性。
    - 简单驱动要求:使得设计更加简单,减少了驱动电路的设计复杂度。
    - 良好的散热性能:由于采用了 SOT-223 封装,该器件可以有效地散热,从而提高整体性能。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:用于高压电源转换和稳压,如直流-直流转换器、开关电源。
    - 马达控制:适用于电动机控制电路中的换向和保护。
    - 电池管理系统:可用于锂电池组的充电和放电控制。
    使用建议:在高功率应用中,需要注意器件的散热问题,合理设计散热片,以确保长期稳定运行。此外,建议在高温环境下使用时,降低器件的工作负载,以延长其使用寿命。

    兼容性和支持


    IRFL10 和 SiHFL110 器件与其他 Vishay 的电子元器件和设备兼容,且提供技术支持和服务。用户可以通过 Vishay 官方网站获取更多支持文档和技术资料,包括可靠性数据和质量保证信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:连续漏极电流不足。
    - 解决方法:检查焊接工艺是否正确,确保良好的热连接。
    - 问题二:热阻过高导致过热。
    - 解决方法:使用更大的散热片,或者优化散热路径。
    - 问题三:驱动电路不稳定。
    - 解决方法:检查驱动电路设计,增加去耦电容或调整驱动电阻值。

    总结和推荐


    综上所述,IRFL110 和 SiHFL110 功率 MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,非常适合在高功率应用中使用。考虑到其优秀的动态性能、重复性雪崩额定值和简单的驱动要求,我们强烈推荐这些器件用于现代电力电子设备中。用户在选择这些器件时应充分考虑其应用场景,并根据具体需求做出最佳选择。

IRFL110TRPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 2W(Ta),3.1W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 8.3nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 540mΩ@ 900mA,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 180pF@25V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 1.5A
6.7mm(Max)
3.7mm(Max)
1.8mm(Max)-0.06mm
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFL110TRPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFL110TRPBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF数据手册

IRFL110TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 1.5714
30+ ¥ 1.4762
100+ ¥ 1.381
500+ ¥ 1.2599
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