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IRFP360PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 23 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 14M-IRFP360PBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFP360PBF

IRFP360PBF概述

    IRFP360, SiHFP360 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    IRFP360, SiHFP360 是由 Vishay Siliconix 公司生产的第三代功率 MOSFET。作为一款高性能的 N-通道 MOSFET,它被广泛应用于商业和工业领域的各种应用中。这些器件以其高动态耐受电压、重复雪崩额定值和快速开关速度而著称,能够在高温环境下稳定运行。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 400 | V |
    | 门源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 23 | - | 14 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 92 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 1200 | mJ |
    | 重复雪崩电流 | IAR | 23 | - | - | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | - | - | 28 | mJ |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 280 | W |
    | 击穿电压温度系数 | ΔVDS/TJ | - | 0.56 | - | V/°C |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 门源漏电 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 正向传输导纳 | gfs | - | 14 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 4500 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 1100 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 490 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 210 | nC |
    | 栅源电荷 | QGS | - | - | 30 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 110 | nC |

    3. 产品特点和优势


    IRFP360, SiHFP360 在以下几个方面表现卓越:
    - 快速开关:这款 MOSFET 具有出色的开关性能,能够显著降低开关损耗,从而提高效率。
    - 易并联:通过简化驱动要求,使得并联使用更加容易,进一步提高了可靠性。
    - 坚固的设计:具有重复雪崩额定值,能够承受更高的电压瞬变。
    - RoHS 合规:符合环保标准,适用于对环境友好度要求较高的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFP360, SiHFP360 主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。例如,在太阳能光伏逆变器系统中,由于其高动态耐受电压和快速开关特性,可有效降低开关损耗和热损耗。
    使用建议:
    - 确保散热片设计合理,以避免过热;
    - 使用低杂散电感的电路布局,减少干扰;
    - 对于驱动电路,确保驱动电阻(Rg)的选择符合要求,以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    IRFP360, SiHFP360 可以与标准的 TO-247AC 封装引脚兼容。制造商提供了详细的技术支持和维护服务,包括热阻抗数据、绝对最大额定值、典型特性曲线等,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 优化驱动电路,选择合适的栅极电阻 (Rg) 和驱动电压 |
    | 过热保护触发频繁 | 改善散热设计,增加散热片面积或采用强制风冷 |
    | 高频操作下噪音增大 | 减少 PCB 上的杂散电感,优化电路布局 |

    7. 总结和推荐


    IRFP360, SiHFP360 在其应用领域展示了出色的性能,特别是在开关电源和逆变器系统中。其高动态耐受电压、重复雪崩额定值和快速开关特性使其成为业界领先的产品。综合考虑其技术参数、功能优势及应用场景,我们强烈推荐使用此款 MOSFET。

IRFP360PBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.5nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 14A,10V
最大功率耗散 280W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 400V
栅极电荷 210nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
配置 独立式
Id-连续漏极电流 23A
FET类型 1个N沟道
15.87mm(Max)
5.31mm(Max)
25.11mm(Max)
通用封装 TO-247AC
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFP360PBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFP360PBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFP360PBF IRFP360PBF数据手册

IRFP360PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 12.421
10+ ¥ 11.131
30+ ¥ 9.7735
100+ ¥ 9.502
300+ ¥ 9.1383
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