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IRFU110PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 4.3 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IRFU110PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFU110PBF

IRFU110PBF概述

    Vishay Siliconix IRFU110, SiHFU110 功率 MOSFET

    产品简介


    Vishay Siliconix 的 IRFU110 和 SiHFU110 是第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),旨在为设计者提供快速开关、坚固耐用的设计、低导通电阻和成本效益。这些器件采用 IPAK(TO-251)封装,具有直引脚设计,符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和 IEC 61249-2-21 关于无卤素的规定。

    技术参数


    - 额定电压:VDS(漏极-源极电压)最高可达 100 V。
    - 最大连续漏极电流:在 TC = 25 °C 时为 4.3 A,在 TC = 100 °C 时为 2.7 A。
    - 最大脉冲漏极电流:IDM 为 17 A。
    - 导通电阻:VGS = 10 V 时的 RDS(on) 最大值为 0.54 Ω。
    - 输入电容:Ciss 最大值为 180 pF。
    - 输出电容:Coss 最大值为 81 pF。
    - 反向传输电容:Crss 最大值为 15 pF。
    - 总栅极电荷:Qg 最大值为 8.3 nC。
    - 栅源电荷:Qgs 最大值为 2.3 nC。
    - 栅极-漏极电荷:Qgd 最大值为 3.8 nC。
    - 最大功耗:在 TC = 25 °C 时为 25 W。
    - 结到外壳热阻:RthJC 为 5.0 °C/W。
    - 结到环境热阻:RthJA 为 110 °C/W。
    - 栅源阈值电压:VGS(th) 范围为 2.0 V 至 4.0 V。
    - 零栅源电压下的漏极电流:IDSS 最大值为 25 μA。
    - 体二极管的连续源-漏电流:IS 最大值为 1.5 A。
    - 体二极管的脉冲前向电流:ISM 最大值为 12 A。
    - 体二极管的反向恢复时间:trr 最大值为 200 ns。
    - 栅极驱动需求:简单易用。

    产品特点和优势


    - 快速开关:适合需要高速切换的应用。
    - 低成本:提供性价比高的解决方案。
    - 直引脚设计:便于组装和焊接。
    - 可并联性:易于多管并联使用。
    - 重复雪崩耐受:增强器件可靠性。
    - 简单的栅极驱动要求:降低驱动电路复杂度。

    应用案例和使用建议


    IRFU110 和 SiHFU110 MOSFET 主要应用于需要高频率开关和高效能的场合,如开关电源、马达控制、电池充电器等。对于高频应用,建议选择较低 RDS(on) 的型号以减少损耗。在设计 PCB 布局时,应考虑低杂散电感,增加接地平面,减少寄生电感。

    兼容性和支持


    Vishay Siliconix 提供广泛的配套支持文档,包括封装图、零件标记和可靠性数据。对于具体应用的定制化支持,可以联系 Vishay 的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - Q:栅极驱动电压是否会影响 MOSFET 的开关速度?
    - A:是的。 高栅极驱动电压可以提高开关速度,但需要注意不要超过 VGS 的额定值。
    - Q:如何处理 MOSFET 在高温下的工作问题?
    - A: 可通过优化 PCB 设计来降低温升,或者使用散热片增强散热效果。
    - Q:如何避免过压损坏 MOSFET?
    - A: 使用合适的保护电路,例如瞬态电压抑制二极管(TVS),以限制 VDS 上的电压。

    总结和推荐


    IRFU110 和 SiHFU110 MOSFET 提供了出色的性能和性价比,适用于多种高要求的应用场合。其快速开关能力、低导通电阻和简单的驱动需求使其成为设计者不可或缺的选择。对于需要高频、高效工作的系统,强烈推荐使用这些 MOSFET。

IRFU110PBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 540mΩ@ 900mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 -
栅极电荷 8.3nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 4.3A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 25W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 180pF@25V
FET类型 1个N沟道
配置 -
长*宽*高 6.73mm*2.39mm*6.22mm
通用封装 TO-251AA
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFU110PBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFU110PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFU110PBF IRFU110PBF数据手册

IRFU110PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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662+ $ 0.265 ¥ 2.2207
2016+ $ 0.2563 ¥ 2.1474
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