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2N7002E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 350mW(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 0.6nC@ 4.5 V 1个N沟道 60V 3Ω@ 250mA,10V 240mA 21pF@5V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) 2N7002E

2N7002E概述

    # Vishay Siliconix 2N7002E N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    Vishay Siliconix 的 2N7002E 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有出色的低导通电阻和高速开关性能。它设计用于逻辑电平接口(如 TTL 和 CMOS)、驱动器(继电器、螺线管、灯、显示器等)以及电池供电系统。该器件符合 RoHS 标准,同时提供无卤素版本,适用于绿色环保需求较高的应用场景。
    主要功能
    - 高速逻辑电平接口能力
    - 低功耗和高能效
    - 兼容多种应用场合
    应用领域
    - 逻辑电平接口:TTL/CMOS
    - 驱动电路:继电器、螺线管、灯、显示屏等
    - 电池供电设备
    - 固态继电器

    技术参数


    以下是 2N7002E 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 栅极-漏极击穿电压 | VDS | V | 60 | 68 | — |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | V | 1 | 2 | 2.5 |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | μA | 1 | — | 500 |
    | 导通电阻 | RDS(on) | Ω | 1.2 | 3 | — |
    | 输入电容 | Ciss | pF | 21 | — | — |
    | 总栅极电荷 | Qg | nC | 0.4 | 0.6 | — |
    | 开启时间 | td(on) | ns | 13 | 20 | — |
    | 关闭时间 | td(off) | ns | 18 | 25 | — |
    其他关键参数:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 绝对最大额定值:VDS = 60V,ID = 240mA(TA=25°C)

    产品特点和优势


    特点
    1. 低导通电阻:RDS(on) 仅为 3Ω,适合低功耗应用。
    2. 快速开关速度:开关时间为 7.5ns,支持高频应用。
    3. 高可靠性:采用环保材料,符合 RoHS 和无卤素标准。
    优势
    1. 低功耗:由于低导通电阻和快速开关性能,能显著降低能耗。
    2. 易驱动:无需缓冲器即可轻松驱动。
    3. 广泛适用性:适用于各种逻辑电平接口及驱动场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 逻辑电平转换:2N7002E 可作为 TTL 到 CMOS 的逻辑电平转换器,实现信号兼容。
    2. 驱动电路:适用于小型电机驱动、LED 点阵模块和液晶显示屏背光控制。
    3. 电池管理:常用于便携式设备的电源开关控制。
    使用建议
    1. 热管理:建议在高电流情况下增加散热片或扩大铜平面面积,以提升热效率。
    2. 电路布局:尽量缩短引脚走线长度,减少寄生电感影响。
    3. 测试环境:确保测试条件接近典型值,避免极端工况下的误判。

    兼容性和支持


    2N7002E 具有良好的兼容性,可与其他主流 MOSFET 和相关设备协同工作。Vishay Siliconix 提供全面的技术支持,包括应用指南、封装信息及客户定制服务。此外,公司还提供详尽的可靠性数据和质量保证。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常升高 | 检查 VGS 是否达到阈值,必要时增大 VGS。 |
    | 开关时间不符合预期 | 调整栅极驱动电阻 Rg,优化 Qg 分布。 |
    | 设备过热 | 增加散热装置或优化 PCB 布局,提高热导率。 |

    总结和推荐


    评估

    总结


    2N7002E 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,以其低导通电阻、高可靠性及多功能性脱颖而出。它在逻辑电平接口和驱动电路中表现出色,非常适合对空间紧凑性和能效要求高的应用场景。
    推荐结论
    我们强烈推荐 2N7002E 用于需要高效率、低功耗的电子系统设计中。无论是消费类电子产品还是工业设备,这款器件都能为您的项目带来显著的优势。

2N7002E参数

参数
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 240mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 0.6nC@ 4.5 V
最大功率耗散 350mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 250mA,10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 21pF@5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
3.04mm(Max)
1.4mm(Max)
1.12mm(Max)
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

2N7002E厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

2N7002E数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY 2N7002E 2N7002E数据手册

2N7002E封装设计

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