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IRF620S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3W(Ta),50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 14nC@ 10 V 1个N沟道 200V 800mΩ@ 3.1A,10V 260pF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号: MIK-IRF620S
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF620S

IRF620S概述

    Vishay IRF620S/SiHF620S Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: 第三代功率 MOSFET
    主要功能: 提供快速开关能力、坚固耐用的设计、低导通电阻(RDS(on))以及高性价比。
    应用领域: 广泛应用于高电流环境,如工业自动化、新能源汽车逆变器、电源转换模块、马达驱动器等领域。

    2. 技术参数


    以下是关键的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.80 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 14 | - | nC |
    | 动态输入电容 | Ciss | - | 260 | - | pF |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 0.91 | 1.8 | μC |
    | 反向恢复时间 | trr | - | 150 | 300 | ns |
    | 热阻抗(结到壳) | RthJC | - | 2.5 | - | °C/W |
    其他支持参数:
    - 表面贴装封装:D2PAK (TO-263)
    - 最大连续漏极电流(TJ = 25°C):5.2 A
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 符合 RoHS 和无卤素要求

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 动态 dv/dt 额定值:能够承受高电压变化率。
    - 重复雪崩额定值:适合恶劣环境下的工作。
    - 简单的驱动需求:降低设计复杂度。
    - 易于并联:支持多器件并联以实现更高电流输出。
    市场竞争力:
    - 提供出色的开关性能和低导通损耗。
    - 小巧封装,适应高密度布局设计。
    - 环保设计,符合全球标准。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 工业级电机控制器
    - 新能源汽车的逆变器模块
    - 通信设备的电源转换电路
    使用建议:
    - 散热设计:确保 PCB 上器件周围有足够的散热空间,避免过热损坏。
    - 电路布局:减少寄生电感和电容,提升整体效率。
    - 并联连接:在高电流应用中,使用多个器件并联时需注意均流设计。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持主流 PCB 贴片工艺,可直接集成到现有系统中。
    - 与标准焊接工具和设备兼容。
    厂商支持:
    - 提供详尽的可靠性测试报告和参考设计文档。
    - 客户支持团队可提供在线技术支持及应用咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    问题 1:器件过热保护失效?
    解决方法: 检查散热片安装是否正确;确认 PCB 设计中是否存在热瓶颈。
    问题 2:栅极振荡问题?
    解决方法: 在栅极串联小电阻,同时增加滤波电容以抑制高频干扰。
    问题 3:雪崩耐受性不足?
    解决方法: 使用瞬态电压抑制器(TVS)二极管保护器件免受高压尖峰影响。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - IRF620S/SiHF620S MOSFET 是一款高性能、环保且经济实惠的功率半导体器件。
    - 其优异的动态性能和强大的可靠性使其成为高电流应用的理想选择。
    - 特别适合对成本敏感但又需要高效能的场景。
    推荐结论:
    强烈推荐此产品用于需要高效率和可靠性的应用场景,特别是在工业控制和新能源领域。其卓越的技术参数和广泛的应用范围使其在市场上具备较强的竞争力。

    通过以上全面解析,用户可以更好地了解和应用该产品,同时为其实际部署提供具体指导和支持。

IRF620S参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 260pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 3W(Ta),50W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 14nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 3.1A,10V
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF620S厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF620S数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF620S IRF620S数据手册

IRF620S封装设计

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