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IRF710STRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.1W(Ta),36W(Tc) 20V 4V@ 250µA 17nC@ 10 V 1个N沟道 400V 3.6Ω@ 1.2A,10V 2A 170pF@25V TO-263 贴片安装
供应商型号: 844-IRF710STRLPBF
供应商: Mouser
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF710STRLPBF

IRF710STRLPBF概述

    IRF710S/SiHF710S Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF710S 和 SiHF710S 是 Vishay Siliconix 生产的第三代功率 MOSFET。这类 MOSFET 具备快速开关、坚固耐用的设计、低导通电阻和高成本效益等特点。产品采用表面贴装封装(D2PAK,即 TO-263),适用于高电流应用场合,可以有效提高电路的功率能力和减少导通电阻。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 400 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 2.0 | - | 1.2 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 6.0 | A |
    | 静态漏源击穿电压 | VDS | 400 | - | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 3.6 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 170 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 34 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 6.3 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 17 | nC |

    产品特点和优势


    IRF710S 和 SiHF710S 的主要特点是:
    1. 快速开关:低导通电阻和高开关速度使得其在高频应用中表现出色。
    2. 易于并联:适合用于需要多个 MOSFET 并联的应用。
    3. 简单驱动要求:无需复杂的驱动电路即可实现良好性能。
    4. 重复雪崩耐受能力:具备高重复雪崩能量(EAR)和单脉冲雪崩能量(EAS)。
    5. 环保材料:符合RoHS标准,无卤素。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源转换器:利用其高开关速度和低导通电阻特性,在开关电源设计中作为功率开关。
    - 电机控制:适用于电机驱动电路,能处理高电流负载。
    - 电池管理系统:利用其高可靠性,确保系统安全运行。
    使用建议:
    - 散热管理:合理布局 PCB 布局,增加散热片以提高散热效果。
    - 保护措施:安装必要的瞬态抑制二极管和熔断器以防止过压和短路。

    兼容性和支持


    - 封装形式:D2PAK(TO-263),符合行业标准,方便集成到多种 PCB 设计中。
    - 兼容性:支持表面贴装工艺,可与其他同类产品互换。
    - 厂商支持:Vishay 提供详细的技术文档、样品支持及长期的技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何计算热阻?
    解决方案:根据表中的热阻数据,结合实际应用中的散热条件进行计算。
    问题2:驱动电流不足怎么办?
    解决方案:适当增大栅极驱动电阻,提高驱动电路的电流输出能力。
    问题3:在高温环境下,MOSFET 的性能会下降吗?
    解决方案:使用时应严格控制温度范围,必要时增加散热措施。

    总结和推荐


    综合评估:
    IRF710S/SiHF710S 功率 MOSFET 以其快速开关、高可靠性、低导通电阻等特点,特别适用于高频、高电流的应用场合。通过合理的布局和散热措施,能够充分发挥其性能优势。
    推荐使用:
    强烈推荐使用 IRF710S/SiHF710S 功率 MOSFET 在需要高性能、高可靠性的应用场合,特别是在电力电子设备、电源管理等领域。

IRF710STRLPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 3.1W(Ta),36W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6Ω@ 1.2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 170pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 400V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 17nC@ 10 V
10.41mm(Max)
9.65mm(Max)
4.83mm(Max)
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF710STRLPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF710STRLPBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF数据手册

IRF710STRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.2885 ¥ 19.3378
10+ $ 1.5985 ¥ 13.5073
100+ $ 1.1016 ¥ 9.3085
250+ $ 1.0908 ¥ 9.2173
500+ $ 0.8586 ¥ 7.2552
800+ $ 0.756 ¥ 6.3882
2400+ $ 0.7067 ¥ 5.9712
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