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IRF530SPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 威世, 场效应管Mosfet
供应商型号: UA-IRF530SPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF530SPBF

IRF530SPBF概述


    产品简介


    IRF530S 和 SiHF530S
    IRF530S 和 SiHF530S 是 Vishay Siliconix 生产的第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这两种器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有快速开关、高可靠性和低成本的特点。它们适用于各种高电流应用,并且符合RoHS(有害物质限制指令)和无卤标准。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):100 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.16 Ω(当 VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg):26 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):5.5 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):11 nC
    - 最大连续漏极电流 (ID):10 A(TC = 25 °C),14 A(TC = 100 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
    - 最大耗散功率 (PD):88 W(TC = 25 °C)
    - 最大工作温度 (TJ, Tstg):-55 至 +175 °C
    - 封装类型:D2PAK(TO-263)
    - 热阻(结到环境)(RthJA):62 °C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC):1.7 °C/W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):69 mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR):8.8 mJ
    - 快速恢复二极管的最大恢复时间 (trr):150-280 ns
    - 最大快速恢复二极管恢复电荷 (Qrr):0.85-1.7 μC

    产品特点和优势


    - 快速开关:得益于低栅极电容和高驱动能力,IRF530S 和 SiHF530S 在高频应用中表现出色。
    - 可靠性高:采用增强型设计,耐高温和瞬态电流冲击,适合工业和汽车应用。
    - 成本效益高:低导通电阻和高功率密度使得这些 MOSFET 成为高效率应用的理想选择。
    - 表面贴装:便于自动化生产和组装,提高了生产效率。
    - 易于并联:内部连接电阻低,使得器件可以方便地并联以提高电流处理能力。
    - 绿色环保:符合 RoHS 和无卤要求,有助于环境保护。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 工业电机控制:适用于各种工业电机控制应用,如泵、风扇和传送带。
    2. 电源转换:用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器。
    3. 照明系统:LED 照明系统的驱动电路中使用,因其高效能和可靠性。
    使用建议
    1. 散热管理:由于这些 MOSFET 在大电流应用中会产生大量热量,需要有效的散热设计,例如使用散热片或散热板。
    2. 驱动电路设计:确保驱动电路提供足够的栅极电压来实现快速开关,避免因驱动不足导致的过热。
    3. 负载测试:在应用前进行严格的负载测试,确保器件能够在实际应用条件下稳定运行。

    兼容性和支持


    这些器件兼容各种常见的 PCB 封装标准,并且可以通过 Vishay 的技术支持获得相应的文档和应用指南。对于复杂的应用需求,Vishay 提供定制化服务和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何正确安装这些器件?
    - A: 使用焊锡膏进行回流焊接,确保焊点质量。在安装过程中,注意不要损坏器件引脚。
    2. Q:如何避免器件过热?
    - A: 选择合适的散热方案,如使用散热片、散热器或强制风冷。另外,确保良好的 PCB 布局,避免局部热点。
    3. Q:如何选择合适的驱动电路?
    - A: 确保驱动电路能够提供足够高的栅极电压和驱动电流,以实现快速开关。使用专用的栅极驱动器有助于减少驱动损失。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF530S 和 SiHF530S 是非常优秀的功率 MOSFET,具备快速开关、高可靠性、低导通电阻和成本效益高等优点。这些器件非常适合于高电流应用,如工业电机控制和电源转换等。虽然它们的价格略高于市场上的一些同类产品,但其卓越的性能和可靠性使其成为许多高要求应用的首选。
    推荐使用
    强烈推荐使用 IRF530S 和 SiHF530S。无论是在工业控制还是电源管理领域,这些器件都能够提供优异的性能表现和长期稳定性,值得在设计中采用。

IRF530SPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 14A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 26nC@ 10 V
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.7W(Ta),88W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 8.4A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 670pF@25V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF530SPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF530SPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF530SPBF IRF530SPBF数据手册

IRF530SPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 0.3363 ¥ 2.8178
550+ $ 0.3338 ¥ 2.7968
1650+ $ 0.3238 ¥ 2.713
4200+ $ 0.3088 ¥ 2.5873
库存: 1202
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