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IRFR9024TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个P沟道 60V 280mΩ@ 5.3A,10V 570pF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: CSJ-ST31862908
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFR9024TR

IRFR9024TR概述


    产品简介


    产品类型: P沟道功率MOSFET(场效应晶体管)
    主要功能:
    - 快速开关
    - 动态dv/dt等级
    - 重复雪崩额定值
    - 表面贴装(适用于IRFR9024, SiHFR9024)
    - 直插式引脚(适用于IRFU9024, SiHFU9024)
    - 适用于表面贴装和直插式安装
    - 低导通电阻和成本效益
    应用领域:
    广泛应用于电源管理、电机控制、汽车电子、通信设备等领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):-60 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.28 Ω(在VGS=-10 V时)
    - 栅源电容 (Qg):19 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):5.4 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):11 nC
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):-35 A
    - 最大功耗 (PD):42 W(在25°C环境温度下)
    - 最高结温 (Tj, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA):最大110°C/W(散热条件下的最大值为50°C/W)
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):300 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):-8.8 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):5.0 mJ
    - 内部源电感 (LS):最大7.5 nH
    - 体二极管的最大反向恢复时间 (trr):200 ns

    产品特点和优势


    1. 快速开关: 具有非常快的开关速度,能够在短时间内完成开关操作,减少功耗。
    2. 高可靠性: 重复雪崩额定值确保器件在恶劣环境下仍能可靠工作。
    3. 高集成度: 适合表面贴装和直插式安装,便于集成到各种电路板上。
    4. 低成本: 高效的设计和材料使该产品具有较高的性价比。
    5. 低导通电阻: 导通电阻低,有助于降低功耗和提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在高频电源转换器中,用于实现高效且快速的开关操作。
    - 在汽车电子系统中,用于电动机控制和电池管理系统。
    - 在通信设备中,用于信号处理和电源管理。
    使用建议:
    - 确保正确选择安装位置以优化散热效果。
    - 使用合适的驱动电路以保证最佳的开关性能。
    - 考虑到不同应用环境下的电压和电流限制,合理设置驱动电压和栅极电阻。

    兼容性和支持


    - 该产品可以与多种表面贴装工艺兼容,如蒸汽相焊接、红外焊接和波峰焊接。
    - Vishay公司提供了详细的文档和技术支持,包括安装指南、测试报告和常见问题解答。
    - 客户可以通过官方渠道获得技术支持,例如发送邮件至hvm@vishay.com获取帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法:
    1. 问题:开关时间过长
    - 解决方案: 检查驱动电路并调整栅极电阻,确保驱动电压和频率合适。

    2. 问题:导通电阻过高
    - 解决方案: 检查焊接质量,确保良好的电气连接,并检查是否符合电压范围。

    3. 问题:发热严重
    - 解决方案: 增加散热片,优化电路布局以减少寄生电感和电容的影响。

    总结和推荐


    综合评估:
    该P沟道功率MOSFET具有快速开关能力、高可靠性和低导通电阻的特点,非常适合于需要高性能和高效率的应用场合。其独特的设计使其在高频电源转换、电机控制和通信设备等领域表现优异。
    推荐使用:
    强烈推荐在上述应用领域中使用该产品,特别是在需要高性能、可靠性和成本效益的应用场景。同时,建议用户在使用前详细阅读技术手册,并联系技术支持以获取更多指导。

IRFR9024TR参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 570pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 5.3A,10V
最大功率耗散 2.5W(Ta),42W(Tc)
栅极电荷 19nC@ 10 V
FET类型 1个P沟道
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.39mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRFR9024TR厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFR9024TR数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFR9024TR IRFR9024TR数据手册

IRFR9024TR封装设计

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