处理中...

首页  >  产品百科  >  IRLD014PBF

IRLD014PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.7 A, HVMDIP封装, 通孔安装, 4引脚
供应商型号: SCE-IRLD014PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRLD014PBF

IRLD014PBF概述

    Vishay Siliconix IRLD014 和 SiHLD014 功率 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    Vishay Siliconix 的 IRLD014 和 SiHLD014 功率 MOSFET 是第三代产品,专为高速开关设计,具备坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益。这些器件适用于自动插入式安装,具有逻辑电平栅极驱动,适用于需要高温度稳定性的工业和消费类电子产品。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):± 10 V
    - 连续漏电流(TA = 25°C):1.7 A
    - 脉冲漏电流(TA = 25°C):14 A
    - 线性降额因子:0.0083 W/°C
    - 单脉冲雪崩能量:490 mJ
    - 最大功率耗散(TA = 25°C):1.3 W
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):4.5 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 5.0 V,ID = 1.0 A:0.20 Ω
    - VGS = 4.0 V,ID = 0.85 A:0.28 Ω
    - 输入电容(Ciss):400 pF
    - 输出电容(Coss):170 pF
    - 反向传输电容(Crss):42 pF
    - 总栅极电荷(Qg):8.4 nC
    - 栅源电荷(Qgs):2.6 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):6.4 nC
    - 动态参数
    - 开启延时时间(td(on)):9.3 ns
    - 上升时间(tr):110 ns
    - 关闭延时时间(td(off)):17 ns
    - 下降时间(tf):26 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高速开关:出色的开关性能,适合高频应用。
    - 逻辑电平栅极驱动:便于与数字电路集成。
    - 高可靠性:可在高达175°C的工作温度下运行。
    - 罗氏(RoHS)合规:符合环保要求。
    - 低成本:适合大批量生产。
    - 耐热设计:内置热耦合,提高散热效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 适用于电机控制、电源转换器和电池管理系统等需要高效能和高可靠性的场合。
    - 使用建议:
    - 在设计系统时,考虑使用低杂散电感和地平面来降低噪声。
    - 选择合适的栅极电阻(Rg),以控制dV/dt并减少EMI。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准0.1英寸引脚间距的安装,可与其他机器插入式组件堆叠使用。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持和维护服务,确保产品在应用中发挥最佳性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高温环境下器件性能下降。
    - 解决方案:选择合适的散热措施,如散热片或散热膏,以保持工作温度在安全范围内。
    - 问题:开关过程中的电磁干扰(EMI)。
    - 解决方案:优化电路布局,使用低杂散电感的设计,并添加滤波器。

    7. 总结和推荐


    IRLD014 和 SiHLD014 是高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于多种工业和消费类电子应用。其卓越的开关性能、逻辑电平驱动和高可靠性使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐用于需要高速开关和高温稳定性的应用场合。

IRLD014PBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 400pF@25V
Vgs-栅源极电压 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 8.4nC@ 5 V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 1A,5V
最大功率耗散 1.3W(Ta)
Id-连续漏极电流 1.7A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 5mm(长度)*3.37mm(高度)
通用封装 HVMDIP-4
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRLD014PBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRLD014PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRLD014PBF IRLD014PBF数据手册

IRLD014PBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 4.7552
100+ ¥ 3.8007
300+ ¥ 3.4543
500+ ¥ 3.34
库存: 1100
起订量: 100 增量: 50
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 380.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336