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V3FL45HM3/H

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 45V 50A 750μA 3A 独立式 DO-219AB-2 贴片安装
供应商型号: C-V3FL45HM3/H
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
VISHAY INTERTECHNOLOGY 整流二极管/整流桥 V3FL45HM3/H

V3FL45HM3/H概述

    V3FL45 Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

    1. 产品简介


    V3FL45是由Vishay General Semiconductor生产的表面贴装型(Surface Mount)三栅沟道MOS(Trench MOS)肖特基势垒整流器。这种器件主要用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护。V3FL45具备低正向电压降和低功耗的特点,确保了其在各种电路中的高效运行。

    2. 技术参数


    V3FL45的关键技术规格如下:
    - 最大重复峰值反向电压 (VRRM): 45V
    - 最大平均正向整流电流 (IF(AV)): 3.0A
    - 峰值正向浪涌电流 (IFSM): 50A
    - 正向电压降 (VF):在2A电流下,最大为0.58V
    - 最大工作结温 (TJ max.): 150°C
    - 封装形式:SMF (DO-219AB)
    - 最大热阻 (RθJA): 125°C/W

    3. 产品特点和优势


    V3FL45的主要特点和优势包括:
    - Trench MOS Schottky技术:提供低正向电压降和高效率。
    - 低轮廓封装:适合自动化放置。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车应用,符合汽车标准。
    - 符合UL 94 V-0等级:防火性能优异。
    - 环保材料:无卤素、RoHS合规。

    4. 应用案例和使用建议


    V3FL45广泛应用于多种高要求环境中,如:
    - 高频逆变器
    - 续流保护
    - DC/DC转换器
    - 极性保护
    建议在安装时将V3FL45安装在标准的FR4 PCB上,使用2盎司铜箔,面积为10mm x 10mm。为了确保良好的散热性能,设计时需考虑热阻(例如RθJA)不超过125°C/W。

    5. 兼容性和支持


    V3FL45的兼容性良好,可以轻松集成到现有的电子系统中。Vishay提供了详尽的技术支持,包括文档、在线工具和技术咨询。对于需要AEC-Q101认证的应用,V3FL45HM3型号是理想选择。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断V3FL45的方向?
    - 解决方案:V3FL45的色带标记阴极端。
    - 问题:如何计算散热需求?
    - 解决方案:确保器件的热阻满足设计要求,即dPD/dTJ < 1/RθJA。

    7. 总结和推荐


    V3FL45在设计和应用中表现出色,特别是在高频率和高温环境中。它的低正向电压降、高效的功率处理能力和环保特性使其在市场上具有强大的竞争力。鉴于其广泛应用的灵活性和卓越的性能,强烈推荐在需要高性能整流器的应用中采用V3FL45。

V3FL45HM3/H参数

参数
正向浪涌电流 50A
配置 独立式
If - 正向电流 3A
Ir - 反向电流 750μA
Vr-反向电压 45V
反向恢复时间 -
通用封装 DO-219AB-2
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

V3FL45HM3/H厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

V3FL45HM3/H数据手册

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V3FL45HM3/H封装设计

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