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IRFP450

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 190W 20V 4V 150nC 2个N沟道 500V 400mΩ 8.7A 2.6nF TO-247AC 通孔安装
供应商型号: IRFP450IR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFP450

IRFP450概述


    产品简介


    IRFP450, SiHFP450 是一款由 Vishay Siliconix 生产的第三代功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这些器件专为商业和工业应用设计,特别适用于需要高功率水平的应用场合,这些应用不适合使用 TO-220 封装。TO-247 封装相比早期的 TO-218 封装具有更好的隔离中心安装孔,从而提供更大的爬电距离以满足大多数安全规范的要求。这些器件的主要功能包括快速开关、坚固耐用的设计、低导通电阻和成本效益。IRFP450, SiHFP450 的应用领域广泛,包括电源管理、电机控制、焊接设备以及各种工业自动化设备。

    技术参数


    以下是 IRFP450, SiHFP450 的关键技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):500 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 时,RDS(on) ≤ 0.40 Ω
    - 最大栅源泄漏电流 (IGSS):VGS = ± 20 V 时,IGSS ≤ ± 100 nA
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS):VDS = 500 V, VGS = 0 V 时,IDSS ≤ 25 µA
    - 总栅极电荷 (Qg):Qg ≤ 150 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):Qgs ≤ 20 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):Qgd ≤ 80 nC
    - 最大连续漏电流 (ID):在 TC = 25 °C 时,ID ≤ 14 A;在 TC = 100 °C 时,ID ≤ 8.7 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):IDM ≤ 56 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):EAS ≤ 760 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):IAR ≤ 8.7 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):EAR ≤ 19 mJ
    - 最大功耗 (PD):TC = 25 °C 时,PD ≤ 190 W
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:dv/dt ≤ 3.5 V/ns
    - 操作结温范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
    - 最大结至散热器热阻 (RthCS):0.24 °C/W
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC):0.65 °C/W

    产品特点和优势


    IRFP450, SiHFP450 具有以下独特的功能和优势:
    - 快速开关:可以实现快速开关,有助于提高效率并减少开关损耗。
    - 坚固耐用的设计:采用重复雪崩测试认证,确保在恶劣环境中稳定运行。
    - 隔离中央安装孔:相比 TO-218,TO-247 封装提供了更高的绝缘强度,减少了电气失效的风险。
    - 易于并联:方便与其他 MOSFET 并联使用,提高整体系统效率。
    - 简单的驱动要求:对驱动电路的要求较低,便于集成到现有系统中。
    - 铅(Pb)-free 可用:符合环保标准,适用于对无铅电子产品有严格要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:用于高效直流转换器,如开关电源。
    - 电机控制:应用于电动机驱动系统,用于快速控制电动机的速度和扭矩。
    - 焊接设备:利用其快速开关特性,实现高效的焊接过程。
    - 工业自动化:在工业自动化系统中,用于精确控制电动机和其他负载。
    使用建议
    - 散热设计:由于功耗较高,需合理设计散热器,以保证器件正常工作。
    - 布局考虑:在电路板布局时,需尽量减小寄生电感,避免过大的寄生电感导致的开关损耗增加。
    - 驱动电路优化:优化驱动电路的设计,减小开关时间,进一步提高效率。

    兼容性和支持


    IRFP450, SiHFP450 与多种工业标准驱动电路兼容,便于集成到现有系统中。Vishay 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、使用手册以及常见问题解答,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备启动时出现过高的栅极电压。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保栅极电阻值适当。
    2. 问题:设备在高电流情况下发热严重。
    - 解决方案:加强散热措施,确保良好的热管理设计。
    3. 问题:频繁出现短路现象。
    - 解决方案:检查电路设计,确保保护电路的正确实施。

    总结和推荐


    总体而言,IRFP450, SiHFP450 是一款高性能的功率 MOSFET,适合各种工业和商业应用。其独特的设计使其在恶劣环境下仍能保持良好的性能,同时具备低成本和易集成的优点。因此,我强烈推荐使用 IRFP450, SiHFP450 在需要高效率、高可靠性的电力系统中。

IRFP450参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF
Id-连续漏极电流 8.7A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 150nC
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ
最大功率耗散 190W
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
15.87mm(Max)
5.31mm(Max)
20.7mm(Max)
通用封装 TO-247AC
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFP450厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFP450数据手册

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IRFP450封装设计

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