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IRFI820G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30W(Tc) 20V 4V@ 250µA 24nC@ 10 V 1个N沟道 500V 3Ω@ 1.3A,10V 2.1A 360pF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: SEC-IRFI820G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFI820G

IRFI820G概述


    产品简介


    IRFI820G 和 SiHFI820G 是由 Vishay Siliconix 生产的第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们适用于商业和工业应用,并以其出色的开关速度、坚固的设计、低导通电阻和成本效益著称。

    技术参数


    | 参数名称 | 技术规格 |

    | 最大栅源电压 | ± 20 V |
    | 漏极-源极电压 | 500 V |
    | 漏极连续电流(栅源电压为10 V) | 2.1 A (TC = 25°C), 1.3 A (TC = 100°C) |
    | 漏极脉冲电流 | 8.4 A |
    | 热阻抗(最大结至环境) | 65 °C/W |
    | 热阻抗(最大结至外壳) | 4.1 °C/W |
    | 零栅电压漏极电流 | 25 µA (VDS = 500 V) |
    | 漏极-源极导通电阻 | 3.0 Ω (VGS = 10 V) |
    | 总栅电荷 | 24 nC |
    | 栅源电荷 | 3.3 nC |
    | 栅漏电荷 | 13 nC |

    产品特点和优势


    1. 高隔离度:提供高达 2.5 kVRMS 的电压隔离能力,适用于需要高绝缘要求的应用场合。
    2. 低热阻:采用 TO-220 FULLPAK 封装,可以有效降低热阻,提高散热效率。
    3. 快速开关性能:低栅极电荷(Qg)和总栅电荷(Qg),使 IRFI820G 和 SiHFI820G 在高频应用中表现优异。
    4. 符合环保标准:产品不含铅(RoHS 合规),满足日益严格的环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电机驱动:由于其高电流处理能力和高可靠性,这些 MOSFET 可以用于电机控制板中的功率级,特别是在电动工具和工业自动化设备中。
    2. 电源转换:IRFI820G 和 SiHFI820G 在 DC-DC 转换器和线性电源中的应用非常广泛,能够有效降低开关损耗并提高效率。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到其高功率密度和快速开关性能,建议使用良好的散热设计,例如大面积铜箔和散热片,以确保器件正常工作。
    2. 测试和验证:对于新设计的电路板,在投入批量生产前应进行充分的测试,特别是针对瞬态电压和电流冲击情况下的稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFI820G 和 SiHFI820G 与标准 TO-220 全包封装兼容,可直接替换其他 TO-220 封装的器件。
    - 支持:Vishay Siliconix 提供详细的技术文档和产品手册,包含电路设计指南、可靠性数据和应用笔记,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 过温问题:
    - 问题描述:设备在运行过程中出现过温警告。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或者风扇改善散热效果。
    2. 栅极驱动不稳定:
    - 问题描述:设备无法稳定工作,表现为突然断开或不响应。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路是否设计得当,确保驱动器能够提供足够的电流和电压以正确驱动 MOSFET。

    总结和推荐


    总体来说,IRFI820G 和 SiHFI820G 在性能、可靠性和易用性方面表现出色,适用于多种高压、高功率应用场合。其高隔离度、低热阻和快速开关性能使其在众多应用中具有显著的优势。我们强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用场景中使用这些器件。

IRFI820G参数

参数
栅极电荷 24nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 30W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 1.3A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 360pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 2.1A
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFI820G厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFI820G数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFI820G IRFI820G数据手册

IRFI820G封装设计

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