处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 190W(Tc) 30V 4V@ 250µA 51nC@ 10V 1个N沟道 500V 550mΩ@ 6.6A,10V 11A 1.426nF@25V TO-262-3 通孔安装 10.67mm*4.83mm*9.65mm
供应商型号: F-IRFSL11N50APBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF概述

    # IRFSL11N50A/SiHFSL11N50A:高效能功率MOSFET技术概述

    1. 产品简介


    基本描述
    IRFSL11N50A和SiHFSL11N50A是Vishay Siliconix推出的第三代功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们设计用于高效能开关应用,具有出色的动态特性和低导通电阻(RDS(on)),为设计师提供了最佳的性价比组合。这些MOSFET特别适用于高电流和高频场景,如电源管理、逆变器、电机驱动等领域。
    主要功能
    - 快速开关能力
    - 重复雪崩耐受性
    - 动态dV/dt评级
    - 并联使用便捷
    - 简化的驱动需求
    应用领域
    - 开关电源
    - UPS(不间断电源)
    - 驱动电机
    - 工业控制设备
    - 消费类电子产品

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | -30 +30 | V |
    | 漏源电压 | VDS 500 | V |
    | 漏极连续电流 | ID 11 | 7.0 | A |
    | 栅极电荷 | Qg 51 | nC |
    | 输入电容 | Ciss 1426 pF |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.55 Ω |
    其他关键指标:
    - 封装:I2PAK(TO-262)
    - 集成反向二极管
    - RoHS合规

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 快速开关:优秀的开关性能减少开关损耗,提高效率。
    - 低导通电阻:0.55 Ω(典型值)降低功耗。
    - 重复雪崩耐受性:提升抗浪涌能力。
    - 并联简便:易于与其他器件并联,适合高电流应用。
    优势
    - 成本效益显著,适合大规模工业应用。
    - 高可靠性,适用于恶劣环境。
    - 易于集成,提供灵活的设计选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 开关电源:利用其低导通电阻和快速开关性能实现高效的能量转换。
    2. 电机驱动:提供高电流输出能力,确保稳定的电机运行。
    3. 通信设备:适用于高频电路中,减少信号失真。
    使用建议
    - 选择适当的栅极驱动电路以优化开关速度。
    - 注意散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 测试雪崩耐受性,确保其在极端条件下的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 与其他标准封装的功率MOSFET高度兼容。
    - 支持常见的栅极驱动芯片。
    厂商支持
    - 提供详尽的技术文档和应用指南。
    - 提供技术支持和售后服务,帮助解决用户问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动电路,增加驱动强度。 |
    | 过热现象 | 改善散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 雪崩失效 | 检查负载条件,避免超过额定值。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    IRFSL11N50A和SiHFSL11N50A凭借其卓越的性能、可靠的品质和广泛的应用范围,成为高性能功率MOSFET的理想选择。其优异的开关速度、低导通电阻和强大的雪崩耐受性使其非常适合各种工业和消费级应用。
    推荐使用
    强烈推荐用于需要高效能和高可靠性的场合,特别是在对成本敏感且追求高效率的应用中。其易用性和兼容性也使其成为设计师的首选之一。
    通过结合实际应用中的具体需求,合理使用IRFSL11N50A和SiHFSL11N50A,可以有效提升系统的整体性能和使用寿命。

IRFSL11N50APBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.426nF@25V
最大功率耗散 190W(Tc)
栅极电荷 51nC@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 550mΩ@ 6.6A,10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
长*宽*高 10.67mm*4.83mm*9.65mm
通用封装 TO-262-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFSL11N50APBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFSL11N50APBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF数据手册

IRFSL11N50APBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.1379 ¥ 9.6382
100+ $ 1.1278 ¥ 9.5521
150+ $ 1.1176 ¥ 9.4661
库存: 15550
起订量: 50 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 481.91
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336