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IRFS9N60ATRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 170W(Tc) 30V 4V@ 250µA 49nC@ 10 V 1个N沟道 600V 750mΩ@ 5.5A,10V 9.2A 1.4nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: F-IRFS9N60ATRLPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 800
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFS9N60ATRLPBF

IRFS9N60ATRLPBF概述


    产品简介


    IRFS9N60A 和 SiHFS9N60A 是 Vishay Siliconix 提供的高性能 N-沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些 MOSFET 主要用于开关电源(SMPS)、不间断电源系统以及高速功率转换应用中。它们采用 D2PAK (TO-263) 封装,具有紧凑的外形和卓越的电气特性。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 600 | V |
    | 栅源电压 | ± ±30 | V |
    | 漏极连续电流 9.2 | A |
    | 瞬态漏极电流 37 | A |
    | 静态漏源导通电阻 0.75 Ω |
    | 总栅极电荷 49 nC |
    | 输入电容 1400 pF |
    | 输出电容 180 pF |
    | 反向传输电容 7.1
    | 有效输出电容 96
    | 漏极最大存储温度 | -55 +150 | °C |
    | 热阻 40 °C/W |

    产品特点和优势


    IRFS9N60A 和 SiHFS9N60A 的独特功能和优势包括:
    1. 低栅极电荷:低栅极电荷意味着简单的驱动需求,降低了电路设计的复杂性。
    2. 改进的坚固性:增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐压能力提高了器件的可靠性和耐用性。
    3. 全面表征的电容和雪崩特性:提供了精确的电容和雪崩电压及电流数据,便于进行设计和优化。
    这些优势使其成为开关电源和其他高可靠性应用的理想选择,显著提升了市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    IRFS9N60A 和 SiHFS9N60A 的典型应用包括:
    1. 开关电源(SMPS):它们能够快速响应变化,适用于各种高效率电源设计。
    2. 不间断电源系统:由于其坚固性和可靠性,适合用于关键的电力备份系统。
    3. 高速功率切换:低栅极电荷和快速开关特性使其在高速功率切换应用中表现优异。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,考虑到低栅极电荷的优势,可以选择较低功率的驱动器来减少能耗。
    - 为了提高系统的整体稳定性,建议采用低杂散电感的电路布局设计,并确保良好的接地平面以降低电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    IRFS9N60A 和 SiHFS9N60A 采用标准 D2PAK (TO-263) 封装,易于与其他同类电子元器件兼容。制造商 Vishay Siliconix 提供了全面的技术支持和维护服务,包括技术咨询和产品定制支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理高温环境下的工作?
    解决方案:确保设计符合最高温度为 150°C 的要求,使用散热片或其他冷却措施,确保热管理得当。
    2. 问题:器件在重复脉冲工作模式下是否会损坏?
    解决方案:严格控制脉冲宽度不超过 300 微秒,同时保证占空比不超过 2%。
    3. 问题:如何避免过压情况?
    解决方案:正确设计驱动电路,确保栅极电压在安全范围内,并通过合适的保护电路来防止过压情况。

    总结和推荐


    总体而言,IRFS9N60A 和 SiHFS9N60A 是一款非常出色的 N-沟道功率 MOSFET。它们的低栅极电荷、增强的坚固性和全面表征的电容特性使得其在多种应用中表现出色。建议在需要高效能和高可靠性的电源和功率转换系统中使用这些器件。无论是在设计还是生产阶段,Vishay Siliconix 提供的全方位技术支持都将确保最佳的应用效果。

IRFS9N60ATRLPBF参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 9.2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 170W(Tc)
栅极电荷 49nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 5.5A,10V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFS9N60ATRLPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFS9N60ATRLPBF数据手册

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IRFS9N60ATRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ $ 1.1204 ¥ 9.4902
1600+ $ 1.1104 ¥ 9.4055
2400+ $ 1.1004 ¥ 9.3207
库存: 9600
起订量: 800 增量: 800
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最小起订量为:800
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