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IRFPS40N60KPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 570W(Tc) 30V 5V@ 250µA 330nC@ 10 V 1个N沟道 600V 130mΩ@ 24A,10V 40A 7.97nF@25V TO-274-AA 通孔安装
供应商型号: IRFPS40N60KPBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFPS40N60KPBF

IRFPS40N60KPBF概述

    电子元器件产品技术手册解析:IRFPS40N60K 和 SiHFPS40N60K 功率 MOSFET

    产品简介


    IRFPS40N60K 和 SiHFPS40N60K 是由 Vishay Siliconix 生产的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件主要用于硬开关初级电路、开关电源模块(SMPS)、不间断电源系统、高速功率开关及电机驱动等场合。这些 MOSFET 特别适合于需要高可靠性和低驱动要求的应用。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - 漏源电压(VDS):最大值为 600 V
    - 栅源电压(VGS):± 30 V
    - 连续漏极电流(ID):25 °C 时为 40 A,100 °C 时为 24 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大值为 600 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):40 A
    - 重复雪崩能量(EAR):57 mJ
    - 最大功率耗散(PD):25 °C 时为 570 W
    - 峰值二极管恢复 dV/dt:7.5 V/ns
    - 操作结温范围:-55 到 +150 °C
    - 静态参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):10 V 栅压下,典型值为 0.110 Ω
    - 零栅压漏极电流(IDSS):600 V 漏源电压下,最大值为 50 μA
    - 输入电容(Ciss):典型值为 7970 pF
    - 输出电容(Coss):最大值为 750 pF
    - 反向传输电容(Crss):最大值为 75 pF
    - 总栅电荷(Qg):典型值为 330 nC
    - 动态参数:
    - 栅源电荷(Qgs):最大值为 84 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):最大值为 150 nC
    - 上升时间(tr):最大值为 110 ns
    - 体二极管恢复时间(trr):25 °C 下,典型值为 630 ns

    产品特点和优势


    1. 低栅电荷:低栅电荷减少了驱动要求,使电路设计更加简单高效。
    2. 增强的栅、雪崩和 dV/dt 耐受性:提高了器件的可靠性,适用于恶劣的工作环境。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压电流:提供了详细的电容和雪崩特性的测试数据,便于系统集成。
    4. 提升的体二极管 dV/dt 能力:提升了瞬态响应性能,增强了系统稳定性。
    5. 符合 RoHS 标准:确保无铅,环保安全。

    应用案例和使用建议


    - 硬开关初级电路:适用于高频硬开关应用,如 PWM 逆变器。
    - 开关电源模块:在 SMPS 中用作主开关器件,能够处理高频率和高功率需求。
    - 不间断电源系统:作为电池备份系统中的关键部件,提供可靠的电力转换。
    - 高速功率开关:应用于各种高能效和高频率电力转换系统。
    - 电机驱动:用于驱动电动机,提供高效的能源转换和控制。
    使用建议:
    - 确保电路设计中栅极驱动电路具有足够的电流能力,以快速切换 MOSFET。
    - 保持 MOSFET 的工作温度在安全范围内,避免因过热而导致损坏。
    - 选择合适的 PCB 布局,减少寄生电感,提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    - 封装:采用 Super-247 封装,可焊接,无铅,符合 RoHS 标准。
    - 支持和维护:Vishay Siliconix 提供详细的技术文档和专业支持,帮助用户进行产品选型和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. 栅极噪声干扰:增加栅极电阻和电容滤波器,减小噪声。
    2. 温度过高:改善散热设计,增加散热片或风扇。
    3. 系统振荡:优化驱动电路,增加缓冲电路减少振荡。

    总结和推荐


    IRFPS40N60K 和 SiHFPS40N60K 功率 MOSFET 是一款优秀的器件,特别适合于高可靠性、高效率的应用场景。其低栅电荷、增强的耐压能力和出色的热管理特性使其成为众多电力转换和电机驱动应用的理想选择。强烈推荐用于对性能和可靠性要求高的系统设计中。

IRFPS40N60KPBF参数

参数
最大功率耗散 570W(Tc)
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 24A,10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
栅极电荷 330nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.97nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 600V
通用封装 TO-274-AA
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFPS40N60KPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFPS40N60KPBF数据手册

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IRFPS40N60KPBF封装设计

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