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IRFBE30STRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 78nC@ 10 V 1个N沟道 800V 3Ω@ 2.5A,10V 4.1A 1.3nF@25V D2PAK 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: H-IRFBE30STRLPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFBE30STRLPBF

IRFBE30STRLPBF概述

    IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30L Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFBE30S、SiHFBE30S、IRFBE30L 和 SiHFBE30L 是由 Vishay Siliconix 生产的第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些产品以其快速开关、坚固设计和低导通电阻等特点而著称。它们广泛应用于各种电力电子应用中,如电机驱动、电源转换、焊接设备和工业自动化系统。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):800 V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 下,最大值为 3.0 Ω
    - 栅极电荷(Qg):最大值为 78 nC
    - 栅源电荷(Qgs):9.6 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):45 nC
    - 峰值漏极电流(IDM):16 A
    - 重复雪崩能量(EAR):13 mJ
    - 最大耗散功率(PD):在 TC = 25 °C 时,125 W
    - 雪崩耐受电流(IAR):4.1 A
    - 最大结温(TJ):-55 至 +150 °C
    - 热阻抗(RthJA):最大 62 °C/W
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):最大 100 μA
    - 栅源漏极电容(Coss):310 pF
    - 内部源电感(LS):7.5 nH

    产品特点和优势


    这些 MOSFET 具备出色的动态 dV/dt 额定值和重复雪崩额定值,非常适合要求高可靠性的应用。快速开关能力和简单的驱动要求使其成为高效能电源管理的理想选择。此外,产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC,不含卤素,环保且成本效益高。

    应用案例和使用建议


    - 电机驱动:这类 MOSFET 在电动机驱动器中表现出色,能够提供高效的能量转换。为了优化性能,建议在电路布局中尽量减少寄生电感,采用接地平面设计。
    - 电源转换:适用于需要高效率和小体积的应用,例如开关电源。使用低泄漏电感电流互感器可以帮助降低能量损耗。
    - 焊接设备:在高频焊接应用中,这类 MOSFET 能够提供可靠的性能。确保合适的散热措施,以避免过热。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 可与标准 PCB 尺寸兼容,可使用 1" 方形铜板进行安装。Vishay 提供详尽的技术支持,包括安装指南、可靠性数据和故障排除文档,确保用户能够顺利使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下性能下降
    - 解决方案:使用良好的散热设计,如热垫或强制冷却,以保持在规定的温度范围内运行。
    2. 问题:驱动信号不稳定导致误触发
    - 解决方案:确保驱动电路设计正确,信号稳定,使用低电感布线,减少干扰。
    3. 问题:漏极电流波动大
    - 解决方案:检查负载条件,确保在安全操作区域内运行。增加外部电容以平滑电流波形。

    总结和推荐


    综上所述,IRFBE30S、SiHFBE30S、IRFBE30L 和 SiHFBE30L MOSFET 是高效、可靠且易于使用的功率器件。它们具备优异的电气特性和稳健的设计,适用于多种电力电子应用。我们强烈推荐这些产品用于任何需要高性能 MOSFET 的场合,特别是在空间有限且对效率有高要求的应用中。

IRFBE30STRLPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 4.1A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 78nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 2.5A,10V
最大功率耗散 125W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFBE30STRLPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFBE30STRLPBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF数据手册

IRFBE30STRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 42.108
1600+ ¥ 41.382
2400+ ¥ 40.656
3200+ ¥ 39.93
库存: 3200
起订量: 800 增量: 800
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最小起订量为:800
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型号 价格(含增值税)
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