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2N5566

产品分类: 结型场效应管(JFET)
产品描述: 650mW 40V 40V 1个N沟道 100Ω 5mA~30mA 双 40V TO-71 通孔安装
供应商型号: AMS-2N5566
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 结型场效应管(JFET) 2N5566

2N5566概述

    2N5564/5565/5566 匹配N沟道JFET对技术手册

    产品简介


    2N5564/5565/5566 是 Vishay Siliconix 推出的一系列匹配的 N 沟道结型场效应晶体管(JFET)对。这些器件封装在 TO-71 封装内,采用两芯片设计,旨在减少寄生效应并提高高频性能。2N5564/5565/5566 主要应用于宽带差分放大器、高速单端输入放大器、高速比较器、阻抗转换器和匹配开关等领域。

    技术参数


    以下是 2N5564/5565/5566 的关键技术规格:
    - 静态参数
    - 门-源击穿电压:\(V{(BR)GSS}\) ≥ -40 V
    - 门-源截止电压:\(V{GS(off)}\) (-2 V 至 -0.5 V)
    - 饱和漏极电流:\(I{DSS}\) (5 mA 至 30 mA)
    - 门反向电流:\(I{GSS}\) ≤ 100 pA
    - 门操作电流:\(IG\) ≤ -3 pA
    - 漏-源导通电阻:\(r{DS(on)}\) (100 Ω 至 1000 Ω)
    - 门-源电压:\(V{GS}\) ≤ -1.2 V
    - 动态参数
    - 共源前向跨导:\(g{fs}\) (7.5 mS 至 12.5 mS)
    - 共源输出电导:\(g{os}\) (45 μS)
    - 共源前向跨导 (100 MHz):\(g{fs}\) (7 mS)
    - 共源输入电容:\(C{iss}\) (10 pF 至 12 pF)
    - 共源反向传输电容:\(C{rss}\) (2.5 pF 至 3 pF)
    - 等效输入噪声电压:\(en\) (12 nV/√Hz @ 10 Hz)
    - 匹配参数
    - 差分门-源电压:\(|V{GS1}-V{GS2}|\) (5 mV 至 20 mV)
    - 差分门-源电压温度变化率:\(\Delta|V{GS1}-V{GS2}|/\Delta T\) (10 μV/°C)

    产品特点和优势


    - 紧凑设计:采用两芯片设计,减少寄生效应。
    - 高增益:高饱和漏极电流 (30 mA),低导通电阻 (100 Ω)。
    - 低噪声:等效输入噪声电压为 12 nV/√Hz。
    - 低门泄漏电流:仅为 3 pA。
    - 高共模抑制比:达到 76 dB。
    - 优异的性能:提供良好的信号精度和频率响应。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用:如宽带差分放大器、高速单端输入放大器、阻抗转换器和匹配开关。
    - 使用建议:在高频应用中使用时,确保电路布局合理,以减少寄生效应。此外,使用时应考虑器件的工作环境,确保其在规定的温度范围内正常运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件可与各种电子系统兼容,适用于多种应用场合。
    - 支持:Vishay Siliconix 提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下工作时,器件性能下降。
    - 解决方案:通过降额使用(即降低功率消耗),或者采用散热措施来确保器件在安全温度范围内工作。
    - 问题2:信号误差较大。
    - 解决方案:检查电路设计,确保电路布局合理,减少寄生效应的影响。

    总结和推荐


    2N5564/5565/5566 系列 JFET 对以其紧凑的设计、高增益、低噪声和高可靠性等特点,在多种应用中表现出色。这些产品特别适合需要高频率响应和高精度的场合。强烈推荐在高频应用和精密测量中使用这些器件。

2N5566参数

参数
击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 100Ω
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置
Id-连续漏极电流 5mA~30mA
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 650mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 40V
通用封装 TO-71
安装方式 通孔安装

2N5566厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

2N5566数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 结型场效应管(JFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY 2N5566 2N5566数据手册

2N5566封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 24 ¥ 201.6
25+ $ 23.76 ¥ 199.584
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