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IRFBG30PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 3.1 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 14M-IRFBG30PBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFBG30PBF

IRFBG30PBF概述

    Vishay Siliconix IRFBG30 和 SiHFBG30 功率 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFBG30 和 SiHFBG30 是 Vishay Siliconix 公司推出的第三代功率 MOSFET。它们专为需要快速开关、高可靠性和成本效益的应用而设计。这些 MOSFET 采用 TO-220AB 封装,适用于商业和工业应用中的多种功率耗散水平,尤其是当功耗在约 50W 时。其低热阻和低成本使得这一封装形式在业界被广泛接受。

    2. 技术参数


    - 最大栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):3.1 A(TC = 25 °C),2.0 A(TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):12 A
    - 重复雪崩能量 (EAS):280 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):3.1 A
    - 最大功率耗散 (PD):125 W(TC = 25 °C)
    - 结到环境的最大热阻 (RthJA):62 °C/W
    - 输入电容 (Ciss):980 pF
    - 输出电容 (Coss):140 pF
    - 反向传输电容 (Crss):50 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):80 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):10 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):42 nC
    - 开关时间 (td(on)):12 ns
    - 开关上升时间 (tr):25 ns
    - 开关下降时间 (td(off)):89 ns
    - 开关下降时间 (tf):29 ns
    - 体内二极管特征
    - 持续源极-漏极二极管电流 (IS):3.1 A
    - 冲击二极管正向电流 (ISM):12 A
    - 体内二极管反向恢复时间 (trr):410-620 ns
    - 体内二极管反向恢复电荷 (Qrr):1.3-2.0 μC

    3. 产品特点和优势


    IRFBG30 和 SiHFBG30 功率 MOSFET 的主要优势如下:
    - 动态 dv/dt 额定值:支持高速切换。
    - 重复雪崩额定值:增强耐受性。
    - 快速开关:有助于提高整体系统效率。
    - 并联简便:易于与其他器件并联使用。
    - 驱动要求简单:减少外围电路复杂度。
    - 符合 RoHS 指令:满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:MOSFET 在高频率下快速开闭,适用于高频开关电源。
    - 电机控制:由于其低导通电阻,适用于电机驱动中的电流控制。
    - 电动汽车充电器:高功率密度和高效能使其成为理想的充电器选择。
    使用建议:
    - 确保电路板设计中具有低寄生电感,以降低开关损耗。
    - 使用大尺寸的接地平面,以提供更好的散热效果。
    - 在测试 dv/dt 时,应注意使用适当的驱动电阻来控制 dv/dt,以防止过高dv/dt 导致过压损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:TO-220AB
    - 兼容性:与其他同类产品封装兼容。
    - 支持:Vishay 提供详尽的技术支持,包括详细的安装指南、测试数据以及故障排查文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 过热
    解决方案:确保散热良好,检查负载条件,必要时增加外部散热器。

    - 问题2:开关波形异常
    解决方案:检查驱动电路和外围电容值,确保驱动信号稳定且无噪声。

    7. 总结和推荐


    IRFBG30 和 SiHFBG30 功率 MOSFET 是一款集高性能与高可靠性于一体的器件,尤其适合高功率应用。其快速开关、高重复雪崩额定值、简单的驱动需求以及良好的成本效益使其在多种工业和商业应用中表现出色。对于寻求高效、可靠且易集成的功率解决方案的设计者来说,这些 MOSFET 是理想的选择。强烈推荐使用这些器件。

IRFBG30PBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1KV
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 125W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 3.1A
栅极电荷 80nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 980pF@25V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 1.9A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
10.51mm(Max)
4.65mm(Max)
9.01mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFBG30PBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFBG30PBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFBG30PBF IRFBG30PBF数据手册

IRFBG30PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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30+ ¥ 3.5989
100+ ¥ 3.4989
300+ ¥ 3.365
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