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TSM2305CX RFG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 1.25W(Ta) 8V 1V 5nC 1个P沟道 20V mΩ@-3.2A,10V 3.2A 990pF@10V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 821-TSM2305CX-RFG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TSM2305CX RFG

TSM2305CX RFG概述

    TSM2305 20V P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    TSM2305 是一款 20V 的 P-沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 SOT-23 封装。这款电子元器件主要适用于电池管理和高速开关电路,是电源管理、工业自动化和通信系统中的关键组件。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | -20 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(TH)| -0.45 | -0.7 | -1 | V |
    | 栅漏电流 | IDSS 1.0 | µA |
    | 导通电阻(典型) | RDS(ON) 44 | 55 | mΩ |
    | 零门电压漏极电流 | ID 1.0 | µA |
    | 瞬态热阻(PCB 安装)| RΘJA 150 °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 先进沟槽工艺技术:采用先进的沟槽制造技术,确保高效的功率转换和更低的导通电阻。
    - 高密度单元设计:通过高密度单元设计,实现超低导通电阻,显著提高效率。
    - 宽工作温度范围:可在极端环境下稳定工作,工作温度范围从 -55°C 到 +150°C。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池管理:适用于手机、笔记本电脑和其他便携式设备的电池管理系统,可有效管理充电和放电过程。
    - 高速开关:在需要快速响应的应用中表现优异,例如高频逆变器和DC/DC转换器。
    使用建议:建议在高频开关应用中使用时,注意选择合适的栅极电阻以减少振铃现象。对于长时间工作的应用,需考虑散热设计,避免过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:TSM2305 与现有的 SOT-23 封装器件具有良好的互换性,可以轻松集成到现有设计中。
    - 支持信息:制造商提供详尽的技术支持文档和快速响应的技术支持团队,确保用户能够充分利用产品的潜力。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:开关过程中出现异常噪声。
    - 解决办法:增加栅极电阻以减缓开关速度,减少振铃现象。
    2. 问题:温度过高导致器件损坏。
    - 解决办法:增加散热片或改进 PCB 设计以提高散热效果。

    7. 总结和推荐


    TSM2305 20V P-沟道 MOSFET 在性能、可靠性方面表现出色,特别适合于电池管理和高速开关应用。其先进的工艺技术和高密度单元设计使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在相关应用中使用该产品,特别是在需要高效能、高可靠性的场合。

TSM2305CX RFG参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 5nC
Vgs-栅源极电压 8V
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 mΩ@-3.2A,10V
最大功率耗散 1.25W(Ta)
Id-连续漏极电流 3.2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 990pF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
通道数量 1
3.1mm(Max)
1.7mm(Max)
1.2mm(Max)
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TSM2305CX RFG数据手册

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