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BZT52C7V5 RHG

产品分类: 齐纳(稳压)二极管
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: ±5% 5μA 7.5V 15Ω 500W SOD-123F 贴片安装
供应商型号: SCE-BZT52C7V5
供应商: 海外现货
标准整包数: 500
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 BZT52C7V5 RHG

BZT52C7V5 RHG概述

    # BZT52C2V4 - BZT52C75 Zener Diodes 技术手册

    产品简介


    BZT52C2V4 - BZT52C75 是台湾半导体公司生产的一系列表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管(Zener二极管)。这些二极管提供了一个广泛的稳压电压范围,从2.4V到75V,并具有5%的电压精度。这些二极管适用于各种低电压稳定器、适配器和板载直流/直流转换器应用。

    技术参数


    关键参数
    - 稳压电压 (VZ): 2.4V 至 75V
    - 测试电流 (IZT): 5 mA
    - 功率耗散 (PD): 500 mW
    - 正向电压 (VF) @ IF=10mA: 1 V
    - 最大结温 (TJ Max.): 150°C
    - 封装类型: SOD-123F
    - 配置: 单芯片
    绝对最大额定值
    - 正向电压 @ IF=10mA (VF): 1 V
    - 功率耗散 (PD): 500 mW
    - 结温范围 (TJ): -65°C 至 +150°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -65°C 至 +150°C
    热性能
    - 结至环境热阻 (RӨJA): 350 °C/W
    电气规格(TA = 25°C 除非另有说明)
    见下表详细数据:
    | 零件号 | 标记代码 | 稳压电压 | 测试电流 | 常规阻抗 | 泄漏电流 |
    |
    | BZT52C2V4 | 2V4Z | 2.28-2.52 V | 5 mA | 100 Ω | 45 µA |
    | BZT52C2V7 | 2V7Z | 2.57-2.84 V | 5 mA | 100 Ω | 18 µA |
    | BZT52C3V0 | 3V0Z | 2.85-3.15 V | 5 mA | 100 Ω | 9 µA |
    | BZT52C3V3 | 3V3Z | 3.14-3.47 V | 5 mA | 95 Ω | 4.5 µA |
    | ... | ... | ... | ... | ... | ... |

    产品特点和优势


    BZT52C2V4 - BZT52C75 具备多种显著的优势:
    - 宽电压范围选择: 从2.4V到75V,满足不同的电压需求。
    - 高精度: 5%的电压精度确保了高度的稳定性。
    - SMD封装: 便于表面贴装,提高装配效率。
    - 环保设计: 符合RoHS指令、卤素免费,符合IEC 61249-2-21标准。
    - 耐热设计: 最高工作温度达到150°C,确保在高温环境下也能稳定工作。

    应用案例和使用建议


    这些Zener二极管广泛应用于低电压稳定器、适配器和板载直流/直流转换器等领域。例如,在某些通信设备中,这些二极管可以作为稳压器来保证电压稳定,从而确保设备的正常运行。
    使用建议
    - 在电路设计时,应根据具体的应用需求选择合适的稳压电压等级。
    - 考虑到功率耗散,需要合理分配功率,避免过热。
    - 注意安装位置,确保良好的散热条件。

    兼容性和支持


    BZT52C2V4 - BZT52C75 支持SOD-123F封装,适用于大多数现代PCB布局设计。台湾半导体公司提供了全面的技术支持,包括详细的电气特性说明、封装尺寸和安装指南等资料。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确选择稳压电压等级?
    2. 如何处理过热问题?
    解决方案
    1. 根据负载电流和所需的输出电压选择合适的稳压电压等级。
    2. 通过改善散热条件(如增加散热片、优化通风)来降低工作温度。

    总结和推荐


    BZT52C2V4 - BZT52C75 以其广泛的电压范围、高精度和优秀的电气特性,成为了市场上非常有竞争力的产品。特别适合用于低电压稳定器、适配器和板载直流/直流转换器等应用。强烈推荐在相关设计中选用此系列产品。
    综上所述,如果您正在寻找一款可靠且高性能的Zener二极管,BZT52C2V4 - BZT52C75将是一个非常不错的选择。

BZT52C7V5 RHG参数

参数
Ir - 反向电流 5μA
最大齐纳阻抗 15Ω
电压容差 ±5%
最大功率耗散 500W
标称齐纳电压 7.5V
配置 -
最大功率 0.5
通用封装 SOD-123F
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BZT52C7V5 RHG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 BZT52C7V5 RHG BZT52C7V5 RHG数据手册

BZT52C7V5 RHG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ ¥ 0.398
3000+ ¥ 0.299
9000+ ¥ 0.2485
18000+ ¥ 0.2331
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