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BZY55B10 RBG

产品分类: 齐纳(稳压)二极管
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: ±2% 7.5μA 10V 15Ω 500W 贴片安装
供应商型号: SCE-BZY55B10 RBG
供应商: 海外现货
标准整包数: 100
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 BZY55B10 RBG

BZY55B10 RBG概述

    # BZY55B2V4 - BZY55B36 Zener Diodes 技术手册

    产品简介


    基本描述
    BZY55B2V4 - BZY55B36 是由台湾半导体(Taiwan Semiconductor)生产的系列齐纳二极管。这些二极管提供广泛的选择范围,电压从2.4V到36V,特别适用于各种低压稳压器、适配器和照明应用。这些二极管符合RoHS指令和无卤素要求,能够在广泛的工业应用中发挥关键作用。
    主要功能
    - 齐纳电压范围:2.4V 至 36V
    - 齐纳电压容差:±2%
    - 表面贴装型封装
    - 符合RoHS指令2011/65/EU和WEEE 2002/96/EC标准
    - 无卤素材料,符合IEC 61249-2-21标准
    应用领域
    - 低压稳压器或电压参考
    - 适配器
    - 照明应用
    - 板载DC/DC转换器

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 齐纳电压(VZ) | 2.4-36 | V |
    | 测试电流(IZT) | 5 | mA |
    | 总功率耗散(Ptot) | 500 | mW |
    | 正向电压(VF) | 1.5 | V |
    | 最大结温(TJ max.) | 150 | °C |
    | 封装 | 0805 |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 正向电压(@IF=10mA) | VF | 1.5 | V |
    | 总功率耗散 | Ptot | 500 | mW |
    | 结温范围 | TJ | -55至+150 | °C |
    | 存储温度范围 | TSTG | -55至+150 | °C |
    热性能
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 结至环境热阻(RθJA) | 300 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 宽泛的齐纳电压选择:从2.4V到36V,可以满足多种电压稳定需求。
    - 高精度:齐纳电压容差仅为±2%,确保高精度的应用要求。
    - 表面贴装设计:便于自动化生产和组装,提高生产效率。
    - 符合环保标准:无卤素材料和符合RoHS及WEEE标准,满足现代环保需求。
    - 优秀的热性能:结至环境热阻为300°C/W,保证在高温环境下仍能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 低压稳压器:BZY55B系列二极管被广泛用于低压稳压器,以确保稳定的输出电压。
    - 适配器:在各种电源适配器中,它们可以提供稳定的电压输出。
    - 板载DC/DC转换器:应用于电路板上的DC/DC转换器,以实现电压转换和稳定。
    使用建议
    - 散热管理:由于总功率耗散达到500mW,在高功率应用中需要注意良好的散热设计,避免过热。
    - 电压选择:根据具体应用需求选择合适的齐纳电压,以确保最佳性能。
    - 防静电措施:在组装过程中注意防静电处理,避免损坏二极管。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BZY55B系列二极管兼容大多数标准的表面贴装工艺和设备。
    - 支持:台湾半导体提供全面的技术支持,包括产品规格、应用指南和技术文档等,以便客户更好地理解和使用这些二极管。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 正向电压过高 | 检查电路设计,确保输入电压在规定的范围内。 |
    | 功率耗散过高 | 添加散热片或其他散热装置,提高散热效率。 |
    | 输出电压不稳定 | 检查负载情况,确保负载在规定范围内,必要时调整齐纳电压。 |

    总结和推荐


    综合评估
    BZY55B2V4 - BZY55B36齐纳二极管具备宽泛的电压选择范围、高精度、表面贴装设计以及符合环保标准的优点。这些特性使得它们在多种低压稳压器、适配器和DC/DC转换器应用中表现出色。
    推荐使用
    强烈推荐使用这些二极管,特别是在需要高精度和广泛电压选择范围的应用中。这些二极管不仅性能可靠,而且符合现代环保标准,能够满足大多数工业和商业应用的需求。

BZY55B10 RBG参数

参数
最大功率耗散 500W
标称齐纳电压 10V
配置 -
最大功率 500mW
Ir - 反向电流 7.5μA
最大齐纳阻抗 15Ω
电压容差 ±2%
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

BZY55B10 RBG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 BZY55B10 RBG BZY55B10 RBG数据手册

BZY55B10 RBG封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.5951
500+ ¥ 0.4211
2500+ ¥ 0.3507
5000+ ¥ 0.3298
库存: 5500
起订量: 800 增量: 100
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