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BZT55C5V1 L0G

产品分类: 齐纳(稳压)二极管
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: ±5% 1μA 5.1V 35Ω 500W QM-MELF 贴片安装
供应商型号: 821-BZT55C5V1L0G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 BZT55C5V1 L0G

BZT55C5V1 L0G概述

    BZT55C2V4 - BZT55C75 二极管:产品综述

    1. 产品简介


    BZT55C2V4 - BZT55C75 是台湾半导体公司(Taiwan Semiconductor)生产的一系列500mW、5%容差的稳压二极管。这些二极管具有广泛的稳压电压范围选择,从2.4V到75V。它们广泛应用于低电压稳压器、适配器、照明装置和车载DC/DC转换器等领域。该系列产品设计符合RoHS指令2011/65/EU,并符合WEEE 2002/96/EC标准。

    2. 技术参数


    关键参数
    - 稳压电压 (VZ):2.4V 至 75V
    - 功率耗散 (PD):500mW
    - 正向电压 (VF):1V @ 10mA
    - 最大结温 (TJ Max.):175°C
    绝对最大额定值
    - 正向电压 @ 10mA (VF):1V
    - 功率耗散 (PD):500mW
    - 结温范围 (TJ):-65°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 (TSTG):-65°C 至 +175°C
    热性能
    - 结到环境的热阻 (RӨJA):500°C/W
    电气规范
    | 参数 | 数值 | 单位 |
    |
    | 稳压电压 (VZ) | 2.4 - 75 | V |
    | 测试电流 (IZT) | 5 | mA |
    | 正向阻抗 (ZZT @ IZT)| 85 | Ω |
    | 反向漏电流 (IR @ VR)| 0.1 | μA |

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 宽稳压电压范围:从2.4V到75V,适应多种应用场景。
    - 高精度稳压:稳压电压容差为±5%,确保稳定输出。
    - 环保材料:符合RoHS和WEEE标准,采用无卤素绿色化合物封装。
    - 高可靠性:能承受-65°C至+175°C的极端温度范围。
    优势
    - 广泛应用:适用于各种低压稳压和电压参考系统,例如照明装置和车载DC/DC转换器。
    - 易于集成:采用Quadro Mini-MELF封装,尺寸紧凑,方便安装。
    - 卓越的稳定性:正向阻抗低,减少能量损失,提高电路整体效率。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 照明装置:用于LED灯泡的稳压电源,确保输出电压稳定。
    - 车载DC/DC转换器:用于车载电子系统的电源转换,确保电压稳定。
    - 通信设备:用于通讯模块的稳压电路,提供可靠的电压输出。
    使用建议
    - 散热管理:由于其高功率耗散(500mW),需要良好的散热设计,避免过热。
    - 电路布局:推荐使用SMD焊接工艺,并采用建议的焊盘布局,以提高连接可靠性和散热效果。
    - 选择合适型号:根据具体应用需求选择合适的稳压电压值,以达到最佳的稳压效果。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 接口:Quadro Mini-MELF 封装,适合表面贴装技术(SMT)。
    - 标准:符合RoHS和WEEE标准,环保且易于回收。
    支持和服务
    - 技术支持:通过官网或直接联系台湾半导体的技术支持团队获取帮助。
    - 售后服务:如有质量问题,可以免费更换,但需遵循公司的保修政策。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 正向电压过高 | 检查电路是否接反,调整负载或降低输入电压。 |
    | 功率耗散过大 | 改进散热设计,如增加散热片或风扇。 |
    | 稳压电压波动较大 | 检查负载是否稳定,确保电源输入电压在规定范围内。|

    7. 总结和推荐



    总结


    BZT55C2V4 - BZT55C75 系列二极管在多个方面表现出色,包括广泛的稳压电压范围、高精度和出色的稳定性。其紧凑的封装设计和环保特性使其成为许多应用的理想选择。
    推荐
    强烈推荐用于各类低压稳压系统和电源管理应用。特别是在照明装置、车载电子系统和通信设备中,这款二极管能够提供可靠的电压调节,提升整个系统的稳定性和可靠性。

BZT55C5V1 L0G参数

参数
Ir - 反向电流 1μA
最大齐纳阻抗 35Ω
电压容差 ±5%
最大功率耗散 500W
标称齐纳电压 5.1V
配置 -
最大功率 0.5
通用封装 QM-MELF
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BZT55C5V1 L0G数据手册

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TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 BZT55C5V1 L0G BZT55C5V1 L0G数据手册

BZT55C5V1 L0G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.276 ¥ 2.3322
10+ $ 0.1944 ¥ 1.6423
100+ $ 0.0943 ¥ 0.7968
1000+ $ 0.0517 ¥ 0.4369
2500+ $ 0.0443 ¥ 0.3742
10000+ $ 0.0335 ¥ 0.2829
50000+ $ 0.0294 ¥ 0.2484
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