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BAS40-04

产品分类: 整流二极管/整流桥
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 44V 600mA 50ns 200nA 200mA 1对串联式 SOT-23 贴片安装
供应商型号: 7969587
供应商: 海外现货
标准整包数: 250
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 整流二极管/整流桥 BAS40-04

BAS40-04概述

    BAS40 / -04 / -05 / -06 低正向电压降SMD肖特基势垒二极管

    产品简介


    BAS40 / -04 / -05 / -06是由台湾半导体(Taiwan Semiconductor)生产的低正向电压降肖特基势垒二极管。这些二极管适用于表面贴装,具有低电容和低正向电压降的特点。主要应用于适配器、开关电源和逆变器等领域。它们的设计旨在提供高效且可靠的电路保护和信号处理功能。

    技术参数


    | 参数名称 | 标称值 | 单位 |
    |
    | 额定电流(IF(AV)) | 200 | mA |
    | 反向峰值电压(VRRM) | 40 | V |
    | 非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM) | 0.6 | A |
    | 正向电压(VF)@IF=40mA| 1 | V |
    | 最大结温(TJ Max.) | 125 | °C |
    | 封装类型 | SOT-23 |
    绝对最大额定值:
    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 反向峰值电压 | VRRM | 40 | V |
    | 正向电流(IF(AV)) | IF(AV)| 200 | mA |
    | 非重复性峰值正向浪涌电流(@ t = 8.3ms) | IFSM | 0.6 | A |
    | 结温范围 | TJ | -65 to +125 | °C |
    | 存储温度范围 | TSTG | -65 to +125 | °C |

    产品特点和优势


    - 低正向电压降:正向电压降仅为1V(@IF=40mA),可以有效降低电路中的功率损耗。
    - 低电容:典型电容为5.0 pF,有助于提高高频应用中的性能。
    - 小尺寸:SOT-23封装,适合高密度安装。
    - 环保材料:符合RoHS标准,无卤素设计,符合IEC 61249-2-21标准。
    - 高可靠性:具备UL 94V-0阻燃等级,通过JESD 201 Class 1A锡须测试。

    应用案例和使用建议


    - 适配器:用于各种便携式电子设备的充电适配器,如手机、平板电脑等。
    - 开关电源:可作为开关电源中的整流元件,提高转换效率。
    - 逆变器:适用于光伏逆变器等电源变换装置,提升整体性能。
    使用建议:
    - 确保正确选择电源和驱动条件,以避免过压和过流情况。
    - 考虑散热问题,建议在高功耗条件下采用良好的散热措施。

    兼容性和支持


    - BAS40系列二极管与大多数标准电路板工艺兼容,可以轻松集成到现有设计中。
    - 台湾半导体提供了详尽的技术支持文档,包括设计指南、仿真工具和应用笔记,帮助客户更好地理解和应用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确保二极管正常工作?
    - 解决方案:检查电路中的电压和电流是否符合二极管的最大额定值,避免过载操作。

    2. 问题:如何避免焊接时的热损伤?
    - 解决方案:使用适当的焊接工具和技术,控制焊接时间和温度,防止过度加热。

    总结和推荐


    BAS40 / -04 / -05 / -06肖特基势垒二极管凭借其低正向电压降、低电容、环保材料等特点,成为高效、可靠的应用选择。其广泛的应用范围和易于集成的特点使其成为许多电子设备的理想选择。强烈推荐在适配器、开关电源和逆变器等应用中使用此系列产品。

BAS40-04参数

参数
If - 正向电流 200mA
Ir - 反向电流 200nA
Vr-反向电压 44V
反向恢复时间 50ns
正向浪涌电流 600mA
配置 1对串联式
3mm(Max)
1.4mm(Max)
1.2mm(Max)
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BAS40-04数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 整流二极管/整流桥 TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 BAS40-04 BAS40-04数据手册

BAS40-04封装设计

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