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TSM3481CX6 RFG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 1.6W(Ta) 20V 3V 18.09nC 1个P沟道 30V 48mΩ@-5.7A,10V 5.7A 1.04798nF@15V SOT-26 贴片安装 2.9mm(长度)*1.5mm(宽度)
供应商型号: 1864596
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TSM3481CX6 RFG

TSM3481CX6 RFG概述

    TSM3481 30V P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    TSM3481 是一款 30V P-Channel MOSFET(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SOT-26封装。这种电子元器件主要应用于直流到直流转换器(DC-DC Converter)和异步降压转换器(Asynchronous Buck Converter)。作为先进的电源管理组件,它在众多电力电子系统中扮演着重要角色。

    技术参数


    TSM3481 的技术规格如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | -5.7 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -22.8 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | cIAS | -13 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | cEAS | 25 | - | - | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 1.6 | - | 0.9 | W |
    | 界面到环境热阻 | RΘJA | 80 | - | - | °C/W |
    | 工作结温范围 | TJ | -55 | +150 | +150 | °C |
    静态电气特性:
    | 参数 | 条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VGS = 0V, ID = -250uA | BVDSS | -30 | - | - | V |
    | 栅阈值电压 | VDS = VGS, ID = -250µA | VGS(TH) | -1 | - | -3 | V |
    | 栅体泄漏 | VGS = ±20V, VDS = 0V | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 零栅电压漏极电流 | VDS = -24V, VGS = 0V | IDSS | - | - | 1.0 | µA |
    动态电气特性:
    | 参数 | 条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 总栅电荷 | VDS = -15V, ID = -5.3A, VGS = -10V | Qg | - | 18.09| - | nC |
    | 栅源电荷 | - | Qgs | - | 6.52 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | - | Qgd | - | 3.25 | - | nC |
    | 输入电容 | VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1.0MHz | Ciss | - | 1047.98| - | pF |
    | 输出电容 | - | Coss | - | 172.82| - | pF |
    | 反向转移电容 | - | Crss | - | 115.50| - | pF |
    开关特性:
    | 参数 | 条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 导通延时时间 | VDD = -15V, RL = 15Ω, ID = -1A, VGEN = -10V, RG = 6Ω | td(on) | - | 20.52| - | nS |
    | 导通上升时间 | - | tr | - | 4.43 | - | nS |
    | 关断延时时间 | - | td(off) | - | 42.81| - | nS |
    | 关断下降时间 | - | tf | - | 7.35 | - | nS |

    产品特点和优势


    TSM3481 的主要特点和优势如下:
    - 采用先进的沟槽工艺技术,提供超高密度单元设计,确保超低导通电阻。
    - 在各类电力转换电路中表现出色,特别是在需要高效率和紧凑设计的应用场景中。
    - 具备良好的电气特性和稳定的工作性能,适应各种严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    TSM3481 主要应用于直流到直流转换器和异步降压转换器,如:
    - 直流供电系统中的稳压电路。
    - 便携式电子设备中的电源管理模块。
    使用建议:
    - 在选择外部驱动器时,应确保其具有足够的电流能力来驱动该 MOSFET。
    - 使用适当的散热措施以避免过热现象。

    兼容性和支持


    TSM3481 可与市场上常见的直流到直流转换器兼容。厂商提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和在线咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻过高
    - 解决办法: 确保栅源电压高于阈值电压,一般情况下,VGS 要设置为 -10V 左右。

    2. 问题:发热严重
    - 解决办法: 使用散热片或其他散热措施,确保良好的散热效果。

    总结和推荐


    TSM3481 是一款高性价比的 P-Channel MOSFET,适用于多种电力电子应用场合。凭借其优秀的电气特性和高可靠性,能够满足大部分需求。强烈推荐在直流到直流转换器和异步降压转换器中使用此产品。

TSM3481CX6 RFG参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@-5.7A,10V
最大功率耗散 1.6W(Ta)
配置 独立式
栅极电荷 18.09nC
Id-连续漏极电流 5.7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.04798nF@15V
FET类型 1个P沟道
长*宽*高 2.9mm(长度)*1.5mm(宽度)
通用封装 SOT-26
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TSM3481CX6 RFG数据手册

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TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 TSM3481CX6 RFG TSM3481CX6 RFG数据手册

TSM3481CX6 RFG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.3481
10+ ¥ 4.8091
100+ ¥ 4.309
500+ ¥ 4.232
1000+ ¥ 4.1551
5000+ ¥ 4.1551
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