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TSM60NB099PW C1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 329W(Tc) 30V 4V 62nC 1个N沟道 600V 99mΩ@ 38A,10V 38A 2.587nF@100V TO-247 通孔安装 15.94mm*5.02mm*20.95mm
供应商型号: TSM60NB099PWC1G-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TSM60NB099PW C1G

TSM60NB099PW C1G概述

    TSM60NB099PW N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    TSM60NB099PW 是台湾半导体(Taiwan Semiconductor)生产的一款高性能 N-Channel Power MOSFET。这款器件具备高击穿电压(600V)、低导通电阻(99mΩ)以及较小的栅极电荷(62nC),适用于多种高功率应用场景。它广泛应用于电源系统(如功率因数校正)、服务器和通信电源、充电站、逆变器等设备中。

    技术参数


    - 基本参数
    - 击穿电压:600V
    - 导通电阻(最大值):99mΩ
    - 栅极电荷:62nC
    - 绝对最大额定值
    - 源漏极电压(VDS):600V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(TC=25°C):38A
    - 脉冲漏极电流(TC=100°C):24A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):784mJ
    - 最大结温(TJ):-55至+150°C
    - 热性能
    - 结至外壳热阻(RӨJC):0.38°C/W
    - 结至环境热阻(RӨJA):42°C/W
    - 电气规格
    - 静态
    - 源漏极击穿电压(BVDSS):600V
    - 栅阈值电压(VGS(TH)):2~4V
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 动态
    - 总栅极电荷(Qg):62nC
    - 输入电容(Ciss):2587pF
    - 开关
    - 开启延迟时间(td(on)):18ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):87ns
    - 反向恢复时间(trr):342ns

    产品特点和优势


    TSM60NB099PW 具备以下几个显著特点和优势:
    - 超级结技术:提高了效率并减少了导通电阻。
    - 高性能:小的 RDS(ON)Qg 优值(FOM)。
    - 高可靠性:100% 经受 UI 断态电压测试和栅极电阻测试。
    - 环保:符合欧盟 RoHS 指令和 WEEE 规范,且无卤素。
    - 广泛的应用范围:适合各种高功率应用,例如 PFC 阶段、服务器/电信电源、充电站、逆变器及电源供应。

    应用案例和使用建议


    TSM60NB099PW 在多种应用场景中表现出色,具体如下:
    - 功率因数校正(PFC):其高击穿电压和低导通电阻使其在 PFC 电路中表现优异。
    - 服务器和通信电源:适用于需要高可靠性的高功率转换场合。
    - 充电站:能够处理高电流,确保快速高效的充电。
    - 逆变器:在电源转换中发挥关键作用,提高整体能效。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高功率应用中,避免因过热导致器件损坏。
    - 使用适当的栅极驱动电路以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    TSM60NB099PW 支持 TO-247 封装,易于集成到现有设计中。制造商提供了详尽的技术支持,包括详细的设计指南和应用说明文档,帮助用户充分发挥其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确选择栅极电阻?
    - 解决方案:根据应用需求选择合适的栅极电阻,一般推荐值为 3.3Ω 至 6.6Ω,以平衡开关速度和功耗。
    - 问题2:如何防止过热?
    - 解决方案:通过增加散热片或采用散热较好的 PCB 设计来改善散热效果,确保器件运行在安全的工作温度范围内。

    总结和推荐


    TSM60NB099PW N-Channel Power MOSFET 在其目标应用中表现出色,以其高性能、高可靠性及广泛的适用范围脱颖而出。其独特的超级结技术和低导通电阻使得其在高功率应用场景中成为首选。强烈推荐使用 TSM60NB099PW 作为高效率、高可靠性的电源转换解决方案的核心组件。

TSM60NB099PW C1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 99mΩ@ 38A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.587nF@100V
栅极电荷 62nC
最大功率耗散 329W(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 38A
长*宽*高 15.94mm*5.02mm*20.95mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

TSM60NB099PW C1G数据手册

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TSM60NB099PW C1G封装设计

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1+ $ 8.6112 ¥ 71.3653
25+ $ 5.4791 ¥ 45.4083
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