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TSM2301ACX

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 1V 4.5nC 1个P沟道 20V mΩ@-2.8A,10V 2.8A SOT-23 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TSM2301ACX

TSM2301ACX参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
栅极电荷 4.5nC
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 2.8A
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 mΩ@-2.8A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装

TSM2301ACX数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 TSM2301ACX TSM2301ACX数据手册

TSM2301ACX封装设计

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