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BZV55C13 L1G

产品分类: 齐纳(稳压)二极管
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: ±5% 10μA 13V 26Ω 500W M-MELF 贴片安装
供应商型号: UA-BZV55C13 L1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 BZV55C13 L1G

BZV55C13 L1G概述

    #

    产品简介


    BZV55C2V4 - BZV55C75 Zener二极管
    台湾半导体公司推出的BZV55C系列是一款表面贴装(SMD)稳压二极管,具有500mW的最大功耗和5%的额定容差。该系列产品包括电压范围从2.4V到75V的二极管,适用于各种低电压稳压器、适配器和板载DC/DC转换器等应用。

    技术参数


    关键参数
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 反向击穿电压(VZ) | 2.4 - 75 | V |
    | 测试电流(IZT) | 5 | mA |
    | 功率耗散(PD) | 500 | mW |
    | 正向电压(VF) @ IF=10mA | 1 | V |
    | 最大结温(TJ) | 175 | °C |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 正向电压 @ IF=10mA (VF) | 1 | V |
    | 功率耗散 (PD) | 500 | mW |
    | 结温范围 (TJ) | -65 至 +175 | °C |
    | 存储温度范围 (TSTG) | -65 至 +175 | °C |
    热性能
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结到环境热阻 (RӨJA) | 300 | °C/W |
    电气规格
    该部分列出了不同型号二极管的详细电气参数,包括反向击穿电压、测试电流、正向阻抗、漏电流等。

    产品特点和优势


    主要特点
    - 宽泛的反向击穿电压选择范围:从2.4V到75V,能够满足多种应用场景的需求。
    - 高精度:所有型号都具有±5%的电压容差。
    - 环保材料:符合RoHS标准,无卤素,满足IEC 61249-2-21规范。
    - 可靠终端:采用镀锡铜终端,易于焊接。
    优势
    - 广泛的应用场景:从低电压稳压器到复杂的DC/DC转换器,适应性强。
    - 出色的热稳定性:低热阻设计,保证长期稳定运行。
    - 高标准认证:符合RoHS和WEEE标准,适合环保要求严格的应用环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 低电压稳压器:如家庭电器中的稳压电路。
    - 适配器:例如笔记本电脑的电源适配器。
    - DC/DC转换器:用于便携式电子设备中的电源管理。
    使用建议
    - 散热设计:确保良好的散热系统以防止过热。
    - 匹配阻抗:选择合适的负载电阻以确保系统稳定。
    - 环境考虑:在极端环境下使用时需注意防潮和防尘。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 机械尺寸:符合Mini-MELF封装标准,方便与其他小型SMD器件兼容。
    - 电气接口:标准的镀锡铜终端设计,易于与其他电气组件连接。
    支持和服务
    - 技术支持:提供专业的技术支持,解决使用过程中遇到的技术问题。
    - 售后保障:提供详尽的质保服务,确保客户满意。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问:如何正确识别二极管的极性?
    - 答:二极管的阴极带有标记环,容易识别。
    2. 问:在高温环境下使用时如何避免过热?
    - 答:在电路设计时添加适当的散热片或使用散热膏,同时注意保持周围环境的通风。
    3. 问:如何选择合适的型号来满足特定电压需求?
    - 答:根据所需的工作电压选择相应的型号,参考技术手册中的电压范围。

    总结和推荐


    综合评估
    BZV55C系列Zener二极管具有广泛的电压范围、高精度、环保材料和优秀的热性能,非常适合应用于低电压稳压器、适配器和DC/DC转换器等场合。其广泛的兼容性和强大的技术支持也为用户提供了便利。
    推荐结论
    鉴于其卓越的性能和多样的应用场景,强烈推荐使用BZV55C系列Zener二极管。无论是对于初学者还是专业工程师,它都是一个值得信赖的选择。

BZV55C13 L1G参数

参数
标称齐纳电压 13V
配置 -
最大功率 0.5
Ir - 反向电流 10μA
最大齐纳阻抗 26Ω
电压容差 ±5%
最大功率耗散 500W
3.7mm(Max)
通用封装 M-MELF
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BZV55C13 L1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 BZV55C13 L1G BZV55C13 L1G数据手册

BZV55C13 L1G封装设计

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