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BZT52C4V7S

产品分类: 齐纳(稳压)二极管
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: ±5% 2.4μA 4.7V 80Ω 200mW 独立式 SOD-323F 贴片安装 1.8mm*1.35mm*1.1mm
供应商型号: 31M-BZT52C4V7S
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 BZT52C4V7S

BZT52C4V7S概述

    BZT52C2V4S - BZT52C75S Zener Diodes 技术手册

    产品简介


    BZT52C2V4S 至 BZT52C75S 是台湾半导体公司生产的一系列表面贴装(SMD)齐纳二极管。这些二极管具有广泛的齐纳电压范围(2.4V 至 75V),适用于多种低电压稳压和电压参考应用。它们在适配器、板载直流-直流转换器等领域得到广泛应用。

    技术参数


    以下是这些二极管的主要技术参数:
    | 参数 | 单位 | 值 |
    |
    | 齐纳电压范围 | V | 2.4 - 75 |
    | 功率耗散 | mW | 200 |
    | 正向电压 @ IF=10mA | V | 1 |
    | 最大结温 | °C | 150 |
    | 包装 SOD-323F |
    | 配置 单芯片 |
    绝对最大额定值:
    - 正向电压 @ IF=10mA:1V
    - 功率耗散:200mW
    - 结温范围:-65°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-65°C 至 +150°C
    热性能:
    - 结到环境热阻:625°C/W
    电气规范(除非另有说明,测试温度为 25°C):
    | 零件号 | 标记代码 | 齐纳电压 | 测试电流 | 正向阻抗 | 反向电流 |
    |
    | BZT52C2V4S | Z0 | 2.28 - 2.52 | 5 | 564 | 45 |
    | BZT52C2V7S | Z1 | 2.57 - 2.84 | 5 | 564 | 18 |
    | BZT52C3V0S | Z2 | 2.85 - 3.15 | 5 | 564 | 9 |
    | ... | ... | ... | ... | ... | ... |
    | BZT52C75S | Z< | 71.25 - 78.75 | 2 | 470 | 52.5 |

    产品特点和优势


    这些齐纳二极管的主要特点是宽泛的齐纳电压范围和高精度(±5%)。它们还符合RoHS指令和无卤素标准,具备良好的阻燃性。这使得它们在各种消费电子产品和工业设备中都有广泛的应用前景。

    应用案例和使用建议


    这些齐纳二极管特别适用于低电压稳压器或电压参考应用,例如适配器和板载直流-直流转换器。为了获得最佳效果,建议在电路设计时注意散热管理,并确保正确连接引脚以避免损坏。

    兼容性和支持


    这些齐纳二极管采用 SOD-323F 封装,适用于大多数现代 PCB 设计。Taiwan Semiconductor 提供了详细的订购信息和支持文档,客户可以通过联系其代表获取更详细的技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及解决方案如下:
    1. 问题:正向电压过高
    解决方法:检查电路中是否存在过高的电流,调整外部电路以减少电流。
    2. 问题:功率耗散过大
    解决方法:增加散热片或改进散热设计,确保符合热设计要求。
    3. 问题:齐纳电压不准确
    解决方法:确认是否遵循正确的焊接和装配流程,必要时咨询技术支持。

    总结和推荐


    总体而言,BZT52C2V4S 至 BZT52C75S 系列齐纳二极管提供了卓越的性能和可靠性,适用于各种电子设备的设计和制造。它们在广泛的电压范围内表现出色,具有高精度和良好的稳定性。强烈推荐使用这些二极管,特别是在需要精确电压调节的应用中。

BZT52C4V7S参数

参数
Ir - 反向电流 2.4μA
最大齐纳阻抗 80Ω
电压容差 ±5%
最大功率耗散 200mW
标称齐纳电压 4.7V
配置 独立式
最大功率 200mW
长*宽*高 1.8mm*1.35mm*1.1mm
通用封装 SOD-323F
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

BZT52C4V7S数据手册

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TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 BZT52C4V7S BZT52C4V7S数据手册

BZT52C4V7S封装设计

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