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TP65H035WS

产品分类: 氮化镓场效应管
厂牌: TRANSPHORM
产品描述: 156W(Tc) 20V 4.8V@ 700µA 36nC@ 8V 650V 41mΩ@ 30A,8V 46.5A 1.5nF@400V 1个N沟道 TO-247-3 通孔安装
供应商型号: CSJ-ST69009459
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TRANSPHORM 氮化镓场效应管 TP65H035WS

TP65H035WS参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.5nF@400V
Rds(On)-漏源导通电阻 41mΩ@ 30A,8V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
击穿电压 -
Id-连续漏极电流 46.5A
栅极电荷 36nC@ 8V
最大功率 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.8V@ 700µA
配置 -
最大功率耗散 156W(Tc)
Idss-饱和漏极电流 -
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

TP65H035WS厂商介绍

Transphorm是一家领先的高性能、高可靠性的氮化镓(GaN)半导体公司,专注于为高压电源应用提供解决方案。公司的产品主要分为以下几类:

1. GaN FETs(氮化镓场效应晶体管):这些是Transphorm的核心产品,用于电力转换和电源管理。

2. 电源模块:集成了GaN FETs和其他必要的电源管理组件,简化了电源设计。

3. 电源IC:集成了控制逻辑和驱动电路,进一步简化了电源设计和实现。

Transphorm的产品广泛应用于以下领域:

- 数据中心和服务器电源
- 太阳能逆变器
- 电动汽车(EV)充电
- 工业电机驱动
- 电信电源

Transphorm的优势在于:

- 高性能:其GaN技术提供了更高的效率、更小的尺寸和更低的功耗。
- 可靠性:产品经过严格的测试,确保在高压应用中的长期稳定运行。
- 创新:持续的技术研发和创新,保持行业领先地位。
- 定制解决方案:能够根据客户特定需求提供定制化的解决方案。

TP65H035WS数据手册

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TRANSPHORM 氮化镓场效应管 TRANSPHORM TP65H035WS TP65H035WS数据手册

TP65H035WS封装设计

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