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TK16A60W5,S4VX(M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: Toshiba N沟道增强型MOS管 TK系列, Vds=600 V, 15.8 A, TO-220SIS封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 4173023
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK16A60W5,S4VX(M

TK16A60W5,S4VX(M概述


    产品简介


    TK16A60W5是一款硅基N沟道功率MOSFET(DTMOS),采用超级结结构设计,具有高可靠性和低损耗的特点。其广泛应用于开关电压调节器等领域。

    技术参数


    - 应用领域:开关电压调节器
    - 主要特性:
    - 快速反向恢复时间:\( t{rr} = 100 \) ns(典型值)
    - 低导通电阻:\( R{DS(ON)} = 0.18 \) Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS
    - 易于控制的栅极开关
    - 增强模式:\( V{th} = 3.0 \) 到 \( 4.5 \) V(\( V{DS} = 10 \) V,\( ID = 0.79 \) mA)
    - 封装及内部电路:
    - 封装类型:TO-220SIS
    - 引脚配置:
    - 1: 栅极
    - 2: 漏极
    - 3: 源极
    - 绝对最大额定值(环境温度 \( Ta = 25^\circ C \)):
    - 漏源电压:\( V{DSS} = 600 \) V
    - 栅源电压:\( V{GSS} = \pm 30 \) V
    - 漏极电流(直流):\( ID = 15.8 \) A
    - 漏极电流(脉冲):\( I{DP} = 63.2 \) A
    - 功率耗散:\( PD = 40 \) W
    - 单脉冲雪崩能量:\( E{AS} = 231 \) mJ
    - 雪崩电流:\( I{AR} = 4.0 \) A
    - 反向漏极电流(直流):\( I{DR} = 15.8 \) A
    - 反向漏极电流(脉冲):\( I{DRP} = 63.2 \) A
    - 结温:\( T{ch} = 150^\circ C \)
    - 存储温度:\( T{stg} = -55 \) 至 \( 150^\circ C \)
    - 隔离电压(RMS):\( V{ISO(RMS)} = 2000 \) V
    - 安装扭矩:\( T{OR} = 0.6 \) N·m

    产品特点和优势


    - 快速反向恢复时间:100 ns,减少开关损耗,提高效率。
    - 低导通电阻:0.18 Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS,有效降低功耗。
    - 易于控制的栅极开关:方便驱动,适用于高频应用。
    - 增强模式:栅源电压阈值为3.0至4.5 V,适用于多种应用需求。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:开关电压调节器、逆变器等
    - 使用建议:
    - 在应用中确保工作条件不超出绝对最大额定值。
    - 注意环境温度对器件的影响,避免长时间高温运行。
    - 使用合适的驱动电路以确保栅极信号的质量。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的TO-220SIS封装兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持信息:Toshiba提供相关的可靠性数据和技术支持文档,建议用户在设计时参考其《半导体可靠性手册》和可靠性测试报告。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在使用过程中出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,必要时增加外部散热装置。
    - 问题2:栅极驱动不稳定导致开关性能不佳。
    - 解决方案:确认驱动电路的性能,调整栅极电阻值或增加滤波电容以稳定驱动信号。

    总结和推荐


    总体评价:TK16A60W5具备优秀的电气特性和高效能,适用于多种高频应用场合。其低导通电阻和快速反向恢复时间使其成为理想的功率MOSFET选择。然而,在使用前需充分考虑其工作条件和应用环境,以保证长期可靠的性能。
    推荐使用:对于需要高性能、高效率的应用场景,如开关电源、逆变器等,推荐使用TK16A60W5。但用户应仔细阅读手册中的限制条款,并遵循Toshiba的相关建议以确保最佳效果。

TK16A60W5,S4VX(M参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 43nC@ 10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.35nF@ 300V
Id-连续漏极电流 15.8A
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 40KW
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@ 10V
长*宽*高 10mm*4.5mm*15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装

TK16A60W5,S4VX(M厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK16A60W5,S4VX(M数据手册

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TK16A60W5,S4VX(M封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 15.8452
10+ ¥ 13.6513
100+ ¥ 13.4075
500+ ¥ 13.1637
1000+ ¥ 13.1637
库存: 517
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