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TPH12008NH,L1Q(M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 2.8W 20V 22nC@ 10V 1个N沟道 80V 12.3mΩ@ 10V 1.49nF@ 40V SOP 贴片安装 5mm*5mm*950μm
供应商型号: 4173185
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPH12008NH,L1Q(M

TPH12008NH,L1Q(M概述

    TPH12008NH N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    TPH12008NH 是一款硅基N沟道功率MOSFET(采用U-MOS-H工艺),具有小型、薄型封装等特点。该器件广泛应用于直流到直流转换器、开关电压调节器和电机驱动等领域。

    技术参数


    TPH12008NH 的技术规格和性能参数如下:
    - 应用范围:DC-DC 转换器、开关电压调节器、电机驱动。
    - 启动时间:2012年5月。
    - 绝对最大额定值(Ta=25℃):
    - 漏源电压(VDSS):80V
    - 栅源电压(VGSS):±20V
    - 漏极电流(连续,DC):44A
    - 漏极电流(脉冲,IDP):97A
    - 功耗(单脉冲雪崩能量):58mJ
    - 雪崩电流(IAR):24A
    - 结温(Tch):150℃
    - 存储温度(Tstg):-55℃至150℃

    - 热特性(Ta=25℃):
    - 漏极至外壳热阻(Rth(ch-c)):2.6℃/W
    - 漏极至环境热阻(Rth(ch-a)):44.6℃/W

    产品特点和优势


    TPH12008NH 具有以下独特功能和优势:
    - 小巧、轻薄的封装设计,方便集成到各类电路板上。
    - 高速开关能力,适合高频应用场景。
    - 小门极电荷(QSW = 8.1 nC),降低功耗。
    - 低导通电阻(RDS(ON) = 10.1 mΩ),提高效率。
    - 低漏电流(IDSS = 10 μA),确保稳定运行。
    - 增强模式,Vth范围为2.0至4.0 V。

    应用案例和使用建议


    TPH12008NH 主要用于需要高效率、高可靠性的场合,如直流到直流转换器、开关电压调节器和电机驱动系统。使用时应注意散热设计,避免过热导致可靠性下降。以下是一些建议:
    - 使用玻璃环氧板进行安装,以减少热阻。
    - 确保电路中的电源电压和电流不超出绝对最大额定值。
    - 在高负载情况下,考虑增加散热片或风扇来辅助散热。

    兼容性和支持


    TPH12008NH 采用SOP Advance封装,与市面上常见的电路板兼容。Toshiba公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括故障分析和维修服务。此外,客户可以通过官方渠道获取最新的产品信息和技术资料。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是用户可能遇到的一些问题及解决方案:
    - 问题:产品在高温环境下工作时性能不稳定。
    - 解决方法:确保散热设计良好,避免通道温度超过150℃。
    - 问题:设备受到静电放电影响。
    - 解决方法:在处理产品时注意静电防护措施,避免静电损坏。
    - 问题:器件在大电流脉冲下损坏。
    - 解决方法:使用大容量电容滤波,限制脉冲电流,防止过流。

    总结和推荐


    TPH12008NH是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于多种高压、高电流的应用场景。其紧凑的封装设计、高效的开关特性和低导通电阻使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐给那些寻求高效、可靠的电子器件应用的设计工程师。

TPH12008NH,L1Q(M参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 2.8W
Rds(On)-漏源导通电阻 12.3mΩ@ 10V
栅极电荷 22nC@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.49nF@ 40V
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 5mm*5mm*950μm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级

TPH12008NH,L1Q(M厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPH12008NH,L1Q(M数据手册

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TPH12008NH,L1Q(M封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.3172
10+ ¥ 4.0282
100+ ¥ 3.6092
500+ ¥ 3.5448
1000+ ¥ 3.4803
5000+ ¥ 3.4803
库存: 3214
起订量: 13 增量: 0
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合计: ¥ 40.28
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