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TK7P60W5,RVQ(S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 60W 30V 4.5V 16nC@ 10V 600V 670mΩ@ 10V 490pF@ 300V
供应商型号: 4173160
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK7P60W5,RVQ(S

TK7P60W5,RVQ(S概述


    产品简介


    TK7P60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
    产品类型:
    - TK7P60W5是一款N沟道硅基MOSFET,采用了先进的DTMOS结构。
    主要功能:
    - 快速反向恢复时间
    - 低导通电阻
    - 易于控制的门极开关
    应用领域:
    - 开关电压调节器
    - 电机驱动器

    技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS): 600V
    - 栅源电压(VGSS): ±30V
    - 漏极电流(直流)(ID): 7.0A
    - 漏极电流(脉冲)(IDP): 28A
    - 功耗(PD): 60W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 92mJ
    - 雪崩电流(IAR): 1.8A
    - 反向漏极电流(直流)(IDR): 7.0A
    - 反向漏极电流(脉冲)(IIDRP): 28A
    - 结温(Tch): 150℃
    - 存储温度(Tstg): -55℃ 至 150℃
    热特性:
    - 漏极至封装热阻(Rth(ch-c)): 2.09℃/W
    静态电气特性:
    - 栅漏电流(IGSS): ≤±1µA
    - 漏极截止电流(IDSS): ≤100V
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS): ≥600V
    - 栅阈值电压(Vth): 3V 至 4.5V
    - 漏源导通电阻(RDS(ON)): 0.54Ω
    动态电气特性:
    - 输入电容(Ciss): 490pF
    - 反向传输电容(Crss): 1.7Ω
    - 输出电容(Coss): 13pF
    - 有效输出电容(Co(er)): 24Ω
    - 门电阻(rg): 7Ω
    - 上升时间(tr): 40ns
    - 导通时间(ton): 60ns
    - 下降时间(tf): 5ns
    - 关断时间(toff): 70ns
    - MOSFET dv/dt鲁棒性(dv/dt): 25V/ns
    门电荷特性:
    - 总门电荷(Qg): 16nC
    - 栅源电荷1(Qgs1): 4.6nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 10.5nC
    源漏特性:
    - 二极管正向电压(VDSF): -1.7V
    - 反向恢复时间(trr): 75ns
    - 反向恢复电荷(Qrr): 0.3µC
    - 峰值反向恢复电流(Irr): 9.0A
    - 二极管dv/dt鲁棒性(dv/dt): 50V/ns

    产品特点和优势


    快速反向恢复时间:
    - 75ns(典型值),这使得它非常适合高频应用。
    低导通电阻:
    - 0.54Ω(典型值),由超级结结构(DTMOS)提供。
    易于控制的门极开关:
    - 这使得它可以轻松集成到现有的系统中。
    增强模式:
    - 阈值电压为3至4.5V,使其操作简单可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在开关电压调节器和电机驱动器中使用时表现出色。
    - 适用于高频电路和高功率应用,如逆变器和电源转换器。
    使用建议:
    - 在设计电路时要确保通道温度不超过150℃。
    - 使用门极电阻来优化开关性能。
    - 考虑到ESD敏感性,需要采取适当的保护措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与常见的电机驱动器和开关电压调节器兼容。
    - 封装形式为DPAK,易于安装和替换。
    支持:
    - 详细的技术手册和可靠性手册提供全面的支持。
    - TOSHIBA提供详细的可靠性数据和失效率估算。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何防止过热?
    - 解决方案: 确保通道温度不超过150℃,可以通过增加散热片或者降低负载电流来实现。
    问题2:如何提高开关速度?
    - 解决方案: 通过减小门极电阻可以加快开关速度,但需注意功耗的影响。
    问题3:如何处理静电放电?
    - 解决方案: 处理时要小心静电放电,并使用防静电包装和处理工具。

    总结和推荐


    综合评估:
    - TK7P60W5在高频应用中表现优异,其低导通电阻和快速反向恢复时间使其成为理想的MOSFET选择。
    - 适合作为开关电压调节器和电机驱动器的核心组件。
    推荐:
    - 强烈推荐使用TK7P60W5,特别是在需要高性能和高可靠性的场合。

TK7P60W5,RVQ(S参数

参数
栅极电荷 16nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 60W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 490pF@ 300V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 670mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
应用等级 工业级

TK7P60W5,RVQ(S厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK7P60W5,RVQ(S数据手册

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TK7P60W5,RVQ(S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.4098
10+ ¥ 6.1162
100+ ¥ 5.6066
500+ ¥ 5.6066
1000+ ¥ 5.5046
5000+ ¥ 5.5046
库存: 1894
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