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2SK3564(STA4,Q,M)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 40W(Tc) 30V 4V@1mA 17nC@ 10 V 1个N沟道 900V 4.3Ω@ 1.5A,10V 3A 700pF@25V TO-220SIS 通孔安装 10mm*4.5mm*15mm
供应商型号: 2SK3564(STA4,Q,M)
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) 2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)概述


    产品简介


    产品名称:2SK3564
    制造商:东芝半导体
    类型:场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:2SK3564是一种N沟道增强型硅基MOSFET,属于π-MOSIV系列。这种晶体管主要用于开关调节器应用中,提供高效的电源转换和控制。
    应用领域:开关电源、电机驱动、照明控制、汽车电子、消费电子产品等。

    技术参数


    以下是2SK3564的主要技术参数:
    - 漏源电压(VDSS):900 V
    - 漏栅电压(RGS=20kΩ时):900 V
    - 栅源电压(VGSS):±30 V
    - 连续漏极电流(ID):3 A
    - 脉冲漏极电流(IDP):9 A
    - 漏极功率耗散(Tc=25°C时):40 W
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS):408 mJ
    - 雪崩电流(IAR):3 A
    - 重复雪崩能量(EAR):4.0 mJ
    - 通道温度(Tch):150 °C
    - 存储温度范围(Tstg):-55 至 150 °C
    - 热阻(通道至外壳):3.125 °C/W
    - 热阻(通道至环境):62.5 °C/W

    产品特点和优势


    2SK3564具备以下几个显著特点和优势:
    - 低导通电阻:漏源导通电阻(RDS(ON))仅为3.7Ω(典型值),确保高效能的电源转换。
    - 高前向传输导纳:|Yfs|为2.6S(典型值),能够快速响应,提升系统的动态性能。
    - 低泄漏电流:截止状态下的漏极电流(IDSS)仅为100 μA(最大值),减少静态功耗。
    - 增强模式:阈值电压(Vth)范围在2.0至4.0 V之间,适合多种应用场合。
    这些特点使得2SK3564在电力电子应用中表现出色,尤其适用于高效率、高可靠性要求的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK3564广泛应用于开关调节器和其他需要高效率电源管理的电路中。例如,在一些LED驱动器设计中,2SK3564可以用于调节LED的亮度和色温。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较高的热阻,使用过程中需要注意良好的散热设计,避免过热。
    - 驱动电路设计:考虑到其高前向传输导纳,驱动电路设计应确保足够的驱动能力,以实现快速开关。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2SK3564与常见的电源管理和控制电路兼容。
    - 支持信息:东芝提供了详细的技术手册和应用指南,帮助客户正确使用和维护该产品。同时,也可以联系东芝销售代表获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 漏源电压(VDSS)超出额定值会导致什么后果?
    - A: 超出额定值可能导致击穿现象,建议遵循手册中提供的安全操作区域图来限制使用条件。

    2. Q: 如何避免雪崩击穿?
    - A: 在设计电路时,应注意使用保护电路来限制峰值电压和电流,确保不会超过允许的最大值。

    总结和推荐


    综上所述,2SK3564是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于各种电力电子应用。它具有低导通电阻、高前向传输导纳和低泄漏电流等特点,确保高效且可靠的电源管理。尽管需要仔细考虑散热和驱动设计,但总体来说,2SK3564是一个值得推荐的产品,尤其适合对性能和可靠性有较高要求的应用场合。

2SK3564(STA4,Q,M)参数

参数 值
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 3A
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF@25V
栅极电荷 17nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 1.5A,10V
最大功率耗散 40W(Tc)
配置 -
长*宽*高 10mm*4.5mm*15mm
通用封装 TO-220SIS
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

2SK3564(STA4,Q,M)厂商介绍

TOSHIBA相关电子器件与存储业务由Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation开展,产品覆盖功率半导体、二极管、微控制器、电机驱动芯片、电源管理芯片、逻辑芯片、线性图像传感器及存储产品,面向工业与消费等应用。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 TOSHIBA 相关型号,如 ULN2003A、MB6S、AD7793BRUZ、ULN2803A 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

2SK3564(STA4,Q,M)数据手册

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2SK3564(STA4,Q,M)封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 4.375
5000+ ¥ 4.13
7500+ ¥ 3.92
12500+ ¥ 3.78
库存: 15000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 10937.5
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