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TK31J60W5,S1VQ(O

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: Toshiba N沟道增强型MOS管 TK系列, Vds=600 V, 31 A, TO-3PN封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: TK31J60W5,S1VQ(O
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O概述

    TK31J60W5 MOSFET 技术手册

    产品简介


    TK31J60W5 是一款由 Toshiba 制造的硅基 N 沟道 MOSFET,采用先进的 DTMOS(超结结构)技术。这种器件适用于电压调节器开关应用。凭借其高可靠性、低导通电阻及快速恢复时间等特点,TK31J60W5 在多种电子设备中表现出色。

    技术参数


    - 应用
    - 开关电压调节器
    - 特性
    - 快速反向恢复时间:\( t{rr} \) = 135 ns(典型值)
    - 低导通电阻:\( R{DS(ON)} \) = 0.082 Ω(典型值)
    - 使用超结结构:DTMOS
    - 易于控制栅极切换
    - 增强模式:\( V{th} \) = 3.0 到 4.5 V(\( V{DS} \) = 10 V,\( I{D} \) = 1.5 mA)
    - 包装和内部电路
    - TO-3P(N)
    - 引脚分配:
    - 1: 栅极
    - 2: 漏极(散热片)
    - 3: 源极
    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压:\( V{GSS} \) = ±30 V
    - 漏极电流(直流):\( ID \) = 30.8 A
    - 功耗:\( PD \) = 230 W
    - 单脉冲雪崩能量:\( E{AS} \) = 437 mJ
    - 雪崩电流:\( I{AR} \) = 7.7 A
    - 反向漏极电流(直流):\( I{DR} \) = 30.8 A
    - 最大管芯温度:\( T{ch} \) = 150 ℃
    - 储存温度:\( T{stg} \) = -55 至 150 ℃
    - 安装扭矩:\( T{OR} \) = 0.8 N·m
    - 热特性
    - 管芯到外壳热阻:\( R{th(ch-c)} \) = 0.543 ℃/W
    - 管芯到环境热阻:\( R{th(ch-a)} \) = 50 ℃/W

    产品特点和优势


    - 快速反向恢复时间:典型的 \( t{rr} \) 为 135 ns,这使得该 MOSFET 在高频开关应用中表现优异。
    - 低导通电阻:使用超结结构 \( DTMOS \),确保了 \( R{DS(ON)} \) 仅为 0.082 Ω(典型值),降低功率损耗。
    - 易于控制栅极切换:这提高了电路设计的灵活性和可维护性。
    - 增强模式:阈值电压范围为 3.0 至 4.5 V,适合多种电源管理应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 用于电压调节器中的开关,例如在高效率 DC-DC 转换器中。
    - 使用建议
    - 设计时应确保在连续重负载下使用时,温度不超过 150 ℃。
    - 使用适当的栅极驱动器,确保开关过程中不会出现过压或过流情况。
    - 考虑散热设计,如使用散热片或散热器,以保持较低的工作温度。

    兼容性和支持


    - 兼容性
    - TK31J60W5 可与标准的 TO-3P 封装设备兼容,便于安装和替换。

    - 支持
    - 详细的手册和技术文档可以在 Toshiba 的官方网站获取。
    - 针对具体应用的设计支持可以通过联系 Toshiba 销售代表获得。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 过热
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或强制风冷。

    - 问题2:电路不稳定
    - 解决方案:检查并优化驱动电路,确保正确的栅极驱动信号。

    - 问题3:导通电阻异常高
    - 解决方案:检查电路是否正确接线,并确认是否达到额定条件。

    总结和推荐


    TK31J60W5 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、快速反向恢复时间和易于控制栅极切换的特点。它适用于多种开关电压调节器应用,特别是在高频和高效能要求的应用中表现出色。尽管价格较高,但其卓越的性能和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。因此,强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的应用中使用此产品。

TK31J60W5,S1VQ(O参数

参数
Id-连续漏极电流 31A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 230W
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 99mΩ
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 105nC@ 10 V
长*宽*高 15.5mm(长度)
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装

TK31J60W5,S1VQ(O厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK31J60W5,S1VQ(O数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TK31J60W5,S1VQ(O TK31J60W5,S1VQ(O数据手册

TK31J60W5,S1VQ(O封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 26.8824
20+ ¥ 26.2111
50+ ¥ 25.5511
100+ ¥ 24.8911
250+ ¥ 24.2758
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