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TK7S10N1Z,LQ(O

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
供应商型号: AV-E-TK7S10N1Z,LQ(O
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK7S10N1Z,LQ(O

TK7S10N1Z,LQ(O概述

    TK7S10N1Z MOSFETs 技术手册

    产品简介


    TK7S10N1Z 是一款硅基 N 通道 MOSFET(U-MOS-H)。它广泛应用于汽车、开关电压调节器和电机驱动等领域。U-MOS-H 技术使其具有卓越的性能,特别适合需要高效率和紧凑设计的应用。

    技术参数


    1. 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 100 V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 漏极电流 (ID): 7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDP): 21 A
    - 功率耗散 (PD): 50 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 19.6 mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 7 A
    - 关断速率 (dVDS/dt): 8.4 V/ns
    - 结温 (Tch): 175 °C
    - 存储温度 (Tstg): -55 至 175 °C
    2. 热特性
    - 结至外壳热阻 (Rth(ch-c)): 3.0 °C/W
    3. 静态特性
    - 栅泄漏电流 (IGSS): ±10 μA
    - 漏极截止电流 (IDSS): 10 μA (VDS = 100 V)
    - 漏极-源极击穿电压 (V(BR)DSS): 100 V
    - 门限电压 (Vth): 2.0 至 4.0 V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)): 40 mΩ (VGS = 10 V)
    4. 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 470 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 36 pF
    - 输出电容 (Coss): 260 pF
    - 上升时间 (tr): 4.6 ns
    - 导通时间 (ton): 12.7 ns
    - 下降时间 (tf): 6.2 ns
    - 关断时间 (toff): 22.7 ns
    5. 栅极电荷特性
    - 总栅极电荷 (Qg): 7.1 nC
    - 栅源电荷 (Qgs1): 3 nC
    - 栅源电荷 (Qgd): 2.5 nC
    6. 源极-漏极特性
    - 反向漏极电流 (IDR): 7 A
    - 反向脉冲漏极电流 (IDRP): 21 A
    - 二极管正向电压 (VDSF): -1.2 V
    - 反向恢复时间 (trr): 47 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 28 nC

    产品特点和优势


    - 车规级认证:符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车领域的高可靠性要求。
    - 低导通电阻:典型导通电阻为 40 mΩ,降低功耗并提高效率。
    - 低漏电流:最大漏电流为 10 μA,确保低功耗运行。
    - 增强模式:门限电压范围宽,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 汽车应用:适用于电动汽车中的逆变器、车载充电器等高可靠性需求的场合。
    - 开关电源:由于其低导通电阻,可用于高效开关电源的设计。
    - 电机驱动:适用于电机控制应用,能有效减少损耗和发热。
    使用建议:
    - 确保工作温度不超过 175°C。
    - 使用适当的散热措施以避免过热。
    - 在设计电路时考虑电流集中现象,避免超出安全工作区域。

    兼容性和支持


    - 该产品采用 DPAK+ 封装,可与其他同类封装的产品互换使用。
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用其性能优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品使用寿命短
    - 解决办法:参考 Toshiba Semiconductor Reliability Handbook,进行适当的设计和散热处理。
    2. 问题:功耗过高
    - 解决办法:检查电路设计,确保工作条件符合绝对最大额定值,并优化散热措施。
    3. 问题:温度过高
    - 解决办法:增加散热片或使用水冷系统,确保工作温度不超限。

    总结和推荐


    综上所述,TK7S10N1Z MOSFET 凭借其低导通电阻、高可靠性以及广泛的适用性,在汽车电子、开关电源和电机驱动等领域表现出色。考虑到其技术优势和广泛的应用前景,我们强烈推荐此产品用于需要高性能和高可靠性的场合。但需要注意的是,在设计和使用过程中需严格遵守安全标准和技术规范,以充分发挥其性能。

TK7S10N1Z,LQ(O参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
长*宽*高 6.5mm*5.5mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装

TK7S10N1Z,LQ(O厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK7S10N1Z,LQ(O数据手册

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TK7S10N1Z,LQ(O封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.49 ¥ 4.263
6000+ $ 0.4861 ¥ 4.2289
20000+ $ 0.4822 ¥ 4.1948
库存: 2000
起订量: 2000 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2000
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