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TK39N60W,S1VF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 270W(Tc) 30V 3.7V@1.9mA 110nC@ 10 V 1个N沟道 600V 65mΩ@ 19.4A,10V 38.8A 4.1nF@300V TO-247 通孔安装 15.94mm*5.02mm*20.95mm
供应商型号: TK39N60W,S1VF
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK39N60W,S1VF

TK39N60W,S1VF概述

    TK39N60W MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TK39N60W 是一款硅基 N 沟道 MOSFET(DTMOS),采用超级结结构设计,适用于开关电压调节器等领域。这款产品在众多应用中展现出卓越的性能和可靠性,是现代电力电子系统中不可或缺的重要组件。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 开启电压 \(V{th}\): 2.7 V 至 3.7 V(\(V{DS} = 10\) V,\(ID = 1.9\) mA)
    - 最大耐压 \(V{DSS}\): 600 V
    - 最大漏极电流 \(I{D}\): 38.8 A(直流),155 A(脉冲)
    - 最大功耗 \(P{D}\): 270 W(\(Tc = 25^{\circ}C\))
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 608 mJ
    - 开启电阻 \(R{DS(ON)}\): 0.055 Ω(典型值)
    - 封装及引脚配置:
    - 封装形式:TO-247
    - 引脚定义:
    - 引脚1: 门极(GATE)
    - 引脚2: 漏极(HEATSINK)
    - 引脚3: 源极(SOURCE)
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻 \(R{th(ch-c)}\): 0.463 \(\Omega / W\)
    - 结到环境热阻 \(R{th(ch-a)}\): 50 \(\Omega / W\)
    - 绝对最大额定值:
    - 门极-源极电压 \(V{GS}\): ±30 V
    - 漏极-源极电压 \(V{DS}\): 600 V
    - 最大功率损耗 \(PD\): 270 W(\(Tc = 25^{\circ}C\))
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 608 mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在典型条件下 \(R{DS(ON)} = 0.055 \Omega\),使得其在高效率开关电源应用中表现出色。
    - 易于控制的门极切换:低门极泄漏电流(最大值为 ±1 µA)使其便于驱动。
    - 增强模式:适用于多种电压条件下的工作环境。
    - 超级结结构(DTMOS):大幅降低导通电阻,提高工作效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 开关电压调节器
    - 电力转换系统
    - 工业控制设备
    - 使用建议:
    - 确保电路中安装足够的散热装置,以避免过热导致损坏。
    - 设计时需考虑长期工作条件下的可靠性问题,参考《Toshiba Semiconductor Reliability Handbook》进行设计。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品广泛应用于各种电路设计,可以与市场上主流的电子元器件和设备配合使用。
    - 支持:厂商提供详细的技术手册和支持文档,同时可通过官方渠道获取售后和技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品在高电流环境下出现异常温度升高。
    - 解决方法: 增加散热措施,确保外部温度不超过 150°C。
    - 问题2: 产品在启动时门极信号不稳定。
    - 解决方法: 检查门极电阻是否符合要求,确保门极驱动电路稳定可靠。

    7. 总结和推荐


    - 总结:TK39N60W MOSFET 在低导通电阻、易于控制等方面表现出色,适用于多种电力电子应用场合。该产品的独特功能和高可靠性使其在市场上具备较强的竞争优势。
    - 推荐:鉴于其优秀的性能和广泛应用范围,我们强烈推荐使用此款 MOSFET,特别是在需要高效能和稳定性的电力转换系统中。

TK39N60W,S1VF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.1nF@300V
栅极电荷 110nC@ 10 V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 19.4A,10V
最大功率耗散 270W(Tc)
Id-连续漏极电流 38.8A
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V@1.9mA
长*宽*高 15.94mm*5.02mm*20.95mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

TK39N60W,S1VF厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK39N60W,S1VF数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TK39N60W,S1VF TK39N60W,S1VF数据手册

TK39N60W,S1VF封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
90+ ¥ 32.5938
180+ ¥ 32.0506
360+ ¥ 31.5073
720+ ¥ 30.9641
库存: 90
起订量: 90 增量: 30
交货地:
最小起订量为:90
合计: ¥ 2933.44
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型号 价格(含增值税)
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