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XP232N03013R-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 350mW 20V 0.36nC@ 10V 30V 2Ω@ 10V 300mA 22pF@ 10V SOT-323-3
供应商型号: 3577874
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP232N03013R-G

XP232N03013R-G概述

    XP232N03013R-G N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    XP232N03013R-G 是一款由 Torex Semiconductor 生产的 N-Channel MOSFET,主要用于开关应用。它具备良好的耐热性和环保特性,适用于多种工业和消费电子产品。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和电气特性:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 30V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±20V
    - 漏极电流(直流)\( ID \): 0.3A
    - 漏极电流(脉冲)\( I{DP} \): 0.6A
    - 漏极功率耗散 \( Pd \): 0.35W
    - 结温 \( TJ \): 150°C
    - 存储温度 \( T{STG} \): -55°C ~ 150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V(BR){DSS} \): 30V
    - 漏源漏电流 \( I{DSS} \): ≤1μA
    - 栅源漏电流 \( I{GSS} \): ≤±10μA
    - 栅阈电压 \( V{GS(off)} \): 0.9V ~ 2.5V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS}=10V \) 下,\( R{DS(on)} \leq 2.0Ω \)
    - 在 \( V{GS}=4.5V \) 下,\( R{DS(on)} \leq 2.5Ω \)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 22pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 9pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 2.5pF
    - 导通延迟时间 \( t{d(on)} \): ≤10ns
    - 上升时间 \( tr \): ≤4ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \): ≤30ns
    - 下降时间 \( tf \): ≤10ns
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 0.36nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 0.06nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 0.1nC
    - 二极管正向电压 \( V{SD} \): 0.7V ~ 1.1V

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在 \( V{GS}=10V \) 下,\( R{DS(on)} \leq 2.0Ω \),确保在高电流条件下的低损耗。
    - 环保特性:符合欧盟RoHS标准,无卤素,无铅,环保友好。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C至150°C范围内正常工作,适用于各种极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    XP232N03013R-G MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、电源管理等领域。建议在设计时注意以下几点:
    - 散热设计:确保良好的散热设计以避免因高温导致的可靠性降低。
    - 电路保护:建议使用保险丝或其他保护措施防止过流。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用 SOT-323-3A 封装,可与其他同封装的元器件轻松替换。Torex Semiconductor 提供详尽的技术支持和售后保障,确保用户能够顺利集成到系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间高负荷工作可能导致可靠性降低。
    - 解决方案:在高负载条件下使用时,确保良好的散热设计和定期维护。

    - 问题:如何处理因高温导致的可靠性问题?
    - 解决方案:引入失效安全设计和后老化保护措施,确保系统的长期稳定运行。

    7. 总结和推荐


    XP232N03013R-G 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,具有低导通电阻、宽工作温度范围和环保特性。推荐用于开关电源和其他需要高可靠性的应用场合。如果您正在寻找一款耐用且可靠的 MOSFET,这款产品无疑是最佳选择。

XP232N03013R-G参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 300mA
最大功率耗散 350mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 22pF@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 0.36nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 10V
通道数量 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-323-3

XP232N03013R-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP232N03013R-G数据手册

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TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) TOREX SEMICONDUCTOR XP232N03013R-G XP232N03013R-G数据手册

XP232N03013R-G封装设计

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