处理中...

首页  >  产品百科  >  XP223N1001TR-G

XP223N1001TR-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 400mW 8V 1.4nC@ 6V 20V 300mΩ@ 4.5V 99pF@ 10V
供应商型号: ET-3577861
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP223N1001TR-G

XP223N1001TR-G概述

    XP223N1001TR-G N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    XP223N1001TR-G 是一款适用于开关应用的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有高可靠性和环保特性,符合欧盟RoHS标准。这款产品主要用于各种电路中的开关控制,适合用于需要高效能和稳定性的电子系统。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDSS): 20V
    - 栅源电压 (VGSS): ±8V
    - 连续漏电流 (ID): 1A
    - 脉冲漏电流 (IDP): 2A
    - 最大结温 (TJ): 150℃
    - 存储温度 (Tstg): -55~150℃
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 20V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±10μA
    - 阈值电压 (VGS(off)): 0.4~1.2V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS=4.5V, ID=350mA 时:0.15Ω(典型)
    - 在 VGS=2.5V, ID=350mA 时:0.25Ω(典型)
    - 在 VGS=1.8V, ID=350mA 时:0.4Ω(典型)
    - 在 VGS=1.5V, ID=20mA 时:0.55Ω(典型)
    - 输入电容 (Ciss): 99pF (VDS=10V, VGS=0V)
    - 输出电容 (Coss): 20pF
    - 反向传输电容 (Crss): 13pF
    - 上升时间 (tr): 8ns
    - 下降时间 (tf): 10ns
    - 栅极电荷 (Qg): 1.4nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 在典型条件下,RDS(on) 可低至 0.15Ω,这使得其非常适合于需要低损耗的应用。
    - 环保设计: 符合欧盟RoHS标准,无卤素,无铅,对环境友好。
    - 易于驱动: 需要的驱动电压仅为1.5V,使得其在低压应用中表现出色。
    - 高可靠性: 尽管在极端条件下的使用寿命有限,但其设计能够承受高负载和高温环境。

    应用案例和使用建议


    - 开关应用: 如电源转换器中的开关、直流电机控制等。
    - 使用建议: 请务必遵守绝对最大额定值,尤其是在高负载情况下使用。同时,推荐在系统设计中加入冗余和故障保护机制以提高可靠性。

    兼容性和支持


    - 封装类型: SOT-23(TO-236),适合紧凑型电路板布局。
    - 支持: 生产商提供了详尽的技术文档和使用说明,确保用户能够正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下使用时,器件寿命降低。
    - 解决办法: 确保在电路中加入有效的热管理措施,如散热片或热导材料。
    - 问题: 在高压和大电流应用中,器件过早损坏。
    - 解决办法: 确保应用中遵守所有绝对最大额定值,并考虑使用外部保护电路。

    总结和推荐


    XP223N1001TR-G 是一款高性能且环保的N沟道MOSFET,在开关应用中表现优异。其低导通电阻和良好的热稳定性使其成为多种工业应用的理想选择。我们强烈推荐将其应用于需要高效率和低损耗的场合,但在使用过程中需注意遵循制造商的使用建议以确保最佳性能和使用寿命。

XP223N1001TR-G参数

参数
栅极电荷 1.4nC@ 6V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 99pF@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 400mW
应用等级 工业级

XP223N1001TR-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP223N1001TR-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) TOREX SEMICONDUCTOR XP223N1001TR-G XP223N1001TR-G数据手册

XP223N1001TR-G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 0.2125 ¥ 1.7957
50+ $ 0.1565 ¥ 1.3227
100+ $ 0.0747 ¥ 0.631
500+ $ 0.0578 ¥ 0.4888
1500+ $ 0.0466 ¥ 0.3941
库存: 5152
起订量: 30 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.97
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336