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XP222N03013R-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 350mW 8V 0.34nC@ 6V 20V 1.3Ω@ 4.5V 18pF@ 10V
供应商型号: ET-3577853
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP222N03013R-G

XP222N03013R-G概述


    产品简介


    XP222N03013R-G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-323-3A 小型封装,适用于开关应用。此产品在低电压和小电流场景下表现出色,尤其适合便携式电子设备和便携式电源管理领域的需求。产品主要功能为通过控制电流来实现电路的开关操作,广泛应用于通信设备、便携式医疗设备、物联网设备以及消费类电子产品。

    技术参数


    以下是 XP222N03013R-G 的关键技术和电气特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 20 | - | - | V |
    | 漏源漏电流 | IDSS | - | - | 1 | µA |
    | 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ±10 | µA |
    | 栅阈值电压 | VGS(off) | 0.4 | 0.8 | 1.3 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 1.3 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 18 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 5 | - | pF |
    | 逆向转移电容 | Crss | - | 3 | - | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 0.34 | - | nC |
    工作条件:
    - 漏源电压:VDS = 20 V
    - 栅源电压:VGSS = ±8 V
    - 环境温度:Ta = -55 ~ +150℃
    - 极限电流:ID = 0.3 A(直流), IDP = 0.6 A(脉冲)

    产品特点和优势


    - 高性价比: RDS(on) 在典型条件下仅为 1.3 Ω @ VGS = 4.5V,适合高效能的小电流开关应用。
    - 环保友好: 完全符合欧盟 RoHS 标准且无卤素和锑含量,满足绿色电子要求。
    - 宽泛工作范围: 支持从 -55°C 到 +150°C 的极端环境温度,保证可靠性。
    - 低功耗设计: 芯片级封装(SOT-323-3A)有效减少寄生损耗,同时功率耗散仅 0.35 W。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 便携式医疗设备: XP222N03013R-G 可用于设备中的低压电源管理,确保系统功耗最小化。
    - IoT 模块: 在 Wi-Fi 模块中实现低功耗开关,支持长期电池供电。
    - 电池保护电路: 提供精确的开关控制以避免过载或短路风险。
    使用建议:
    - 需要注意绝对最大额定值下的负载能力,在高电压或高温环境中使用时建议增加热管理系统。
    - 根据实际应用调整驱动电压(如 1.8V 或 4.5V),优化导通阻抗和效率。
    - 确保外围电路正确设计以匹配 Ciss 和 Qg 等电容特性,避免信号延迟问题。

    兼容性和支持


    XP222N03013R-G 具有出色的兼容性,可直接替换同类 SOT-323-3A 封装的 MOSFET。制造商 Torex 提供详细的技术支持文档以及快速响应的客户服务,用户可通过官网获取最新的封装信息和技术资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问:为什么 RDS(on) 值会随 VGS 降低而显著增大?
    答: RDS(on) 的变化是由于较低的驱动电压无法完全开启 MOSFET,建议使用 VGS ≥ 2.5V 以确保性能。
    2. 问:能否长时间运行在脉冲模式下?
    答: 在 PW ≤ 10μs,duty cycle ≤ 1% 的情况下可以使用,但需注意总功耗不超过 0.35 W。
    3. 问:如何提升系统的稳定性?
    答: 增加外部散热装置并合理设计 PCB 板布局以优化热传导。

    总结和推荐


    XP222N03013R-G 是一款专为低功耗、高可靠性的应用场景设计的高性能 MOSFET。其紧凑型封装和优秀的性价比使其成为众多小型电子设备的理想选择。强烈推荐给需要便携性和高效开关性能的工程师团队。在合理设计和维护下,此产品能够在恶劣环境中稳定工作,为企业提供可靠的支持。

XP222N03013R-G参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 350mW
栅极电荷 0.34nC@ 6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 18pF@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 8V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
配置 -

XP222N03013R-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP222N03013R-G数据手册

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XP222N03013R-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ $ 0.1639 ¥ 1.3771
100+ $ 0.0843 ¥ 0.7081
500+ $ 0.0628 ¥ 0.5277
1000+ $ 0.0445 ¥ 0.3739
3000+ $ 0.0408 ¥ 0.3425
6000+ $ 0.0365 ¥ 0.3068
12000+ $ 0.0326 ¥ 0.2736
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