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IRF640

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 72nC@ 10 V 1个N沟道 200V 180mΩ@ 9A,10V 18A 1.56nF@25V TO-220 通孔安装
供应商型号: CEI-IRF640
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) IRF640

IRF640概述

    IRF640 和 IRF640FP 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    IRF640 和 IRF640FP 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 ST 公司生产。它们采用了公司自主研发的 MESH OVERLAY™ 工艺制造,能够提供卓越的电气性能。
    主要功能:
    这两种产品主要用于高功率应用场合,包括开关电源、电机驱动和通信设备等领域。通过优化的电路设计和先进的制造工艺,这些器件可以提高系统的效率和可靠性。
    应用领域:
    - 开关应用
    - 电机控制
    - 电源转换
    - 通信设备

    2. 技术参数


    以下是 IRF640 和 IRF640FP 的关键电气参数和特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 ±20 | V |
    | 漏极电流 | ID 18 | A |
    | 漏源电压 | VDS 200 V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(on) 0.18 Ω |
    其他重要参数还包括:
    - 额定脉冲漏极电流 IDM: 72A
    - 总耗散功率 PTOT: 125W(TO-220 封装)
    - 热阻 Rthj-case: 1.0°C/W(TO-220 封装)
    - 高温操作范围: TJ = 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 高 dv/dt 能力: 能够承受较高的电压变化率。
    - 低固有电容: 极低的输入、输出和反向转移电容,有助于提高开关速度。
    - 优化的栅极电荷: 最小化的栅极电荷,有助于减少损耗。
    - 优异的散热性能: 低热阻设计,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源:利用其高功率处理能力和低损耗,适用于高效率的直流-直流转换器。
    - 电机驱动:适合用于高动态响应需求的应用,如工业自动化系统。
    - 通信设备:适用于电源模块,提供高效的电力供应。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要考虑散热设计,确保安全工作温度范围内的稳定运行。
    - 选择适当的栅极电阻,以避免过高的栅极驱动电流,保护 MOSFET 不受损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: IRF640 和 IRF640FP 可以与多种电路拓扑结构配合使用,适用于不同的应用场景。
    - 支持: ST 公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中发热严重怎么办?
    - A: 请检查散热设计是否足够,并根据需要增加散热片或使用更好的散热材料。
    - Q: 如何降低开关损耗?
    - A: 优化电路设计,选用合适的栅极电阻,同时保证良好的电路布局,以减少杂散电感的影响。

    7. 总结和推荐


    IRF640 和 IRF640FP 是高性能的 N 沟道 MOSFET,具有优异的电气性能和可靠性。其高功率处理能力、快速开关特性和优化的散热设计使其成为许多高要求应用的理想选择。因此,强烈推荐在需要高效率和可靠性的系统中使用这些产品。

IRF640参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.56nF@25V
最大功率耗散 125W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 72nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 9A,10V
10.4mm(Max)
4.6mm(Max)
9.15mm(Max)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF640厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

IRF640数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS IRF640 IRF640数据手册

IRF640封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 1.495 ¥ 12.6328
500+ $ 1.404 ¥ 11.8638
1000+ $ 1.196 ¥ 10.1062
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