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VNB20N07TR-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics OMNIFET-全自动保护功率MOSFET开关电源芯片, 70 V电源, 3引脚
供应商型号: UA-VNB20N07TR-E
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) VNB20N07TR-E

VNB20N07TR-E概述

    VNP20N07FI/VNB20N07/VNV20N07 全自动保护功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    VNP20N07FI、VNB20N07 和 VNV20N07 是意法半导体(STMicroelectronics)基于 VlPower M0 技术开发的一系列全自动保护功率 MOSFET。这些器件旨在替代标准的功率 MOSFET,适用于从直流到 50 kHz 的各种应用。它们集成了过压钳位保护、线性电流限制器电路、过温保护和短路保护等功能,特别适用于驱动感性负载。

    技术参数


    以下是这些产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 VDS | 70 V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.05 Ω |
    | 最大漏极电流 ID | 20 A |
    | 输入电压 VIN | 18 V |
    | 短路电流限制 Ilim | 20 A |
    | 集电极反向电流 IR | -28 A |
    | 静态热阻 Rthj-case | 3.75 °C/W |
    | 总功耗 Ptot | 83 W(PowerSO-10)|

    产品特点和优势


    这些 MOSFET 的主要特点包括:
    - 过压钳位保护:内置的过压钳位保护可以确保芯片在 70 V 时不会被损坏,增强了设备的坚固性和能量处理能力。
    - 线性电流限制器电路:无论输入引脚电压如何,都能将漏极电流 ID 限制在 Ilim 内。
    - 过温保护和短路保护:采用芯片温度检测,不依赖输入电压。当芯片温度超过 150°C 时,会自动切断电源;温度降至 135°C 时,自动重启。
    - 状态反馈:在发生过温故障时,可以通过输入引脚提供状态反馈,便于故障检测。
    - 兼容性:可以与标准的功率 MOSFET 兼容,并且能够通过 TTL 逻辑电路进行驱动。
    - 高可靠性:具有 ESD 保护功能,能够承受高达 2000 V 的静电放电。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在多种应用中表现出色,如:
    - 电机控制:由于具备过流和过温保护功能,非常适合驱动电机。
    - 电源转换:可用于开关电源、直流变换器等场合。
    - 汽车电子:虽然未明确标明适合汽车应用,但它们的耐用性和可靠性使其在非安全关键的应用中有广泛的应用前景。
    使用建议:
    1. 电路设计:在电路设计中要充分考虑散热,尤其是在长时间高电流工作时,应选择合适的散热器。
    2. 保护措施:使用外部保护电路来辅助内部保护机制,例如使用熔断器来防止电流过大。
    3. 温度监控:实时监测 MOSFET 的温度,以确保其不会超过安全范围。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 与标准的功率 MOSFET 兼容,可以直接替换传统器件。制造商提供了详尽的技术文档和在线支持,帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:设备过热,无法正常工作。
    - 解决方法:检查散热系统是否足够,必要时增加散热片或风扇。
    - 问题:电流限制功能不起作用。
    - 解决方法:检查输入电压是否在有效范围内,确认输入电路无短路。
    - 问题:设备出现故障反馈。
    - 解决方法:监测输入引脚的电压,确保其接近地电平,排除故障原因。

    总结和推荐


    VNP20N07FI/VNB20N07/VNV20N07 是一款高性能的全自动保护功率 MOSFET,其集成的保护功能使其在多种应用中表现出色。其坚固的结构和可靠的性能使其成为许多应用的理想选择。如果你需要一个高效且可靠的产品来应对各种苛刻的工作环境,这些 MOSFET 将是一个非常不错的选择。

VNB20N07TR-E参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 83W
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 70V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 50mOhm (Max)
栅极电荷 15nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
10.4mm(Max)
9.35mm(Max)
4.6mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

VNB20N07TR-E厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

VNB20N07TR-E数据手册

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VNB20N07TR-E封装设计

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