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PD55003L-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 2.5 A, PowerFLAT 5 x 5封装, 表面贴装, 14引脚
供应商型号: Q-PD55003L-E
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) PD55003L-E

PD55003L-E概述


    产品简介


    PD55003L-E是一款N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管,属于LdmoST塑料家族的一员。它设计用于宽带商用和工业应用,具有高增益和出色的线性度及可靠性。这种晶体管可以在12 V下以共源模式运行,频率范围高达1 GHz。PD55003L-E的特点是采用了新型无引脚SMD塑料封装,名为PowerFLAT™,使其在市场上具备较高的竞争力。

    技术参数


    最大额定值(环境温度为25℃)
    - 漏源电压 (V(BR)DSS): 40 V
    - 栅源电压 (VGS): -0.5 至 +15 V
    - 漏极电流 (ID): 2.5 A
    - 功耗 (PDISS): 14 W (环境温度70℃)
    - 存储温度范围 (Tstg): -65至+150℃
    - 工作结温 (Tj): 150℃
    热数据
    - 结壳热阻 (Rth(j-c)): 5.7 ℃/W
    静态参数
    - 泄漏电流 (IDSS): 1 μA (VGS=0V, VDS=28V)
    - 栅极泄漏电流 (IGSS): 1 μA (VGS=5V, VDS=0V)
    - 开启电压 (VGS(Q)): 2.0 至 5.0 V (VDS=10V, ID=50mA)
    - 导通电压 (VDS(ON)): 0.36 V (VGS=10V, ID=0.5A)
    - 跨导 (gfs): 1.0 mho (VDS=10V, ID=1A)
    动态参数
    - 1 dB增益压缩功率 (P1dB): 3 W (VDD=12.5V, IDQ=50mA, f=500MHz)
    - 增益 (GP): 17 至 19 dB (VDD=12.5V, IDQ=50mA, POUT=3W, f=500MHz)
    - 效率 (ηD): 50 至 52% (VDD=12.5V, IDQ=50mA, POUT=3W, f=500MHz)
    - 负载失配 (Load mismatch): 20:1 VSWR (VDD=12.5V, IDQ=50mA, POUT=3W, f=500MHz)
    ESD保护
    - 符合人体模型 (HBM) 2级
    - 符合机器模型 (MM) M3级

    产品特点和优势


    PD55003L-E的主要特点包括:
    - 卓越的热稳定性,适用于高频高功率应用。
    - 新型无引脚塑料封装 (PowerFLAT™),有助于散热和提高可靠性。
    - 高增益、宽带和优良的线性度,适合广泛的应用场景。
    - 通过创新的LD-MOS技术,确保高可靠性和性能。
    - ESD保护机制,提高了产品的耐用性。
    - 符合2002/95/EC欧盟指令,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    PD55003L-E非常适合应用于车载无线电系统,由于其卓越的线性性能和高增益,能够提供出色的音频质量和信号处理能力。
    使用建议
    为了充分发挥PD55003L-E的优势,可以考虑以下几点建议:
    - 在设计电路时,确保电源电压稳定且适当,以维持最佳性能。
    - 采用适当的散热措施,如散热片或散热器,以保持器件在安全工作温度范围内。
    - 注意环境温度,特别是高温条件下可能会影响器件的工作寿命。

    兼容性和支持


    PD55003L-E采用无引脚塑料封装,易于与其他标准SMD组件兼容。ST公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括电气参数表、测试电路图以及封装机械数据等。此外,用户还可以获得在线技术支持和售后服务,以确保顺利集成到各种应用系统中。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题
    - 解决方案: 增加散热装置,改善散热条件。如果无法改善散热条件,可适当降低功率输出。
    2. 输出功率不足
    - 解决方案: 确保供电电压稳定且足够,检查连接线路是否良好接触,必要时调整外部电路。
    3. 噪声问题
    - 解决方案: 使用屏蔽线缆或滤波器减少干扰源的影响。优化电路布局以减少EMI干扰。

    总结和推荐


    PD55003L-E凭借其卓越的热稳定性、高增益和优良的线性度,在宽带商用和工业应用中表现出色。其新型无引脚封装不仅简化了安装过程,还提升了可靠性。总体而言,这款产品非常适合需要高性能射频应用的工程师和设计师选择使用。推荐给那些需要高可靠性和高性能射频组件的专业人士。

PD55003L-E参数

参数
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 34pF@ 12.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 15V
栅极电荷 15nC
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 14W
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
长*宽*高 5mm*5mm*880μm
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PD55003L-E厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

PD55003L-E数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS PD55003L-E PD55003L-E数据手册

PD55003L-E封装设计

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