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IRF630

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET系列, Vds=200 V, 9 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: C129801
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) IRF630

IRF630概述

    IRF630 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF630 是一款采用STMicroelectronics独有的STripFET™工艺技术制造的N沟道功率MOSFET。该系列特别设计以最小化输入电容和栅极电荷,使其成为高效率隔离式直流-直流变换器中作为初级开关的理想选择。这款MOSFET适用于各种开关应用,能够有效提升系统的整体性能。

    2. 技术参数


    - 电气额定值
    - 最大漏源电压 (VDS):200 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):25°C时为9 A;100°C时为6.5 A
    - 单脉冲耐受电流 (IDM):36 A
    - 总耗散功率 (PTOT):25°C时为120 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):110 mJ
    - 栅极-漏极动态dv/dt鲁棒性:5.8 V/ns
    - 存储温度范围 (Tstg):-65°C至175°C
    - 热数据
    - 结点-外壳热阻 (Rthj-case):1.26°C/W
    - 结点-环境热阻 (Rthj-amb):62.5°C/W
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on))
    - VGS = 10 V,ID = 4.5 A 时,典型值为0.29 Ω,最大值为0.40 Ω

    3. 产品特点和优势


    - 极高dv/dt能力:能够处理极高的电压变化率。
    - 非常低的固有电容:减少了电荷存储的需求。
    - 最小化的栅极电荷:提高了系统效率和响应速度。
    这些特点使得IRF630在开关电源、电机驱动和通信设备等应用中具有显著的优势。

    4. 应用案例和使用建议


    IRF630 主要应用于高效率隔离式直流-直流转换器中。例如,在某些应用中,可以将IRF630作为主要开关元件,以实现高效的电力转换。此外,在高压应用中,需要特别注意散热管理,以确保器件的可靠运行。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应考虑增加散热措施,以防止过热。
    - 在开关频率较高的应用中,应特别注意减小寄生电感的影响,以减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    IRF630 与标准TO-220封装兼容,因此易于集成到现有的设计中。STMicroelectronics 提供了详细的技术文档和支持,包括设计指南和测试电路,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定IRF630的最大工作温度?
    - 解决方案:根据热阻数据计算允许的最大温度。例如,在结点-环境热阻 (Rthj-amb) 为62.5°C/W 的情况下,当功耗为120W时,允许的最大温升为7500°C,从而得出结点温度(TJ)。

    - 问题:如何处理IRF630的栅极电荷?
    - 解决方案:通过适当的选择外部栅极电阻来控制栅极电荷的充放电过程,从而减小损耗。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IRF630是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种高效率应用场合。其独特的技术特性和广泛的电气特性使其在市场上具备强大的竞争力。强烈推荐在高效率直流-直流转换器和其他需要高效电力管理的应用中使用该器件。

IRF630参数

参数
最大功率耗散 75W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ@ 4.5A,10V
Id-连续漏极电流 9A
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 45nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
10.4mm(Max)
4.6mm(Max)
9.15mm(Max)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF630厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

IRF630数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS IRF630 IRF630数据手册

IRF630封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.995
10+ ¥ 4.906
50+ ¥ 4.301
100+ ¥ 3.63
500+ ¥ 2.673
1200+ ¥ 2.541
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